一种氧化铈颗粒及含其的抛光浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种氧化铈颗粒及含其的抛光浆料。具体公开了一种氧化铈颗粒，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200‑500μm；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铈颗粒及含其的抛光浆料
本专利技术涉及一种氧化铈颗粒及含其的抛光浆料。
技术介绍
在集成电路及其它电子器件的制造中，多个导电、半导电及介电的材料层沉积至基板表面上或自基板表面移除。随着材料层依序地沉积至基板上及自基板移除，基板的最上部表面可变得非平坦且需要进行平坦化。对表面进行平坦化或对表面进行“抛光”是这样的工艺，其中，自基板的表面移除材料以形成总体上均匀平坦的表面。平坦化可用于移除不合乎期望的表面形貌及表面缺陷，诸如粗糙表面、经团聚的材料、晶格损伤、刮痕、以及受污染的层或材料。平坦化也可用于通过移除过量的沉积材料而在基板上形成特征，该沉积材料用于填充所述特征并提供用于后续的加工及金属化水平的均匀表面。用于对基板表面进行平坦化或抛光的组合物及方法在本领域中是公知的。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)是用于使基板平坦化的常用技术。CMP采用被称为CMP组合物或更简单地被称为抛光组合物(也被称作抛光浆料)的化学组合物以用于自基板选择性地移除材料。典型地，通过使基板的表面与饱含抛光组合物的抛光垫(例如，抛光布或抛光盘)接触而将抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铈颗粒，其特征在于，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200-500μm，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为1％的粒径；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm

【技术特征摘要】
1.一种氧化铈颗粒，其特征在于，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200-500μm，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为1％的粒径；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm-1处的峰和583cm-1处的峰，且其中在458cm-1处的峰的强度与在583cm-1处的峰的强度的比率为峰比率，所述氧化铈颗粒的峰比率为70-90。


2.如权利要求1所述的氧化铈颗粒，其特征在于，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为220-450μm，例如为226μm、289μm、330μm或410μm；
和/或，所述氧化铈颗粒的峰比率为75-90，例如为79、83、85或88；
和/或，使用532nm激光收集所述氧化铈颗粒的拉曼光谱；
和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸为30-180μm，例如为60-180μm，再例如为98μm、110μm、120μm或176μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为50％的粒径；
和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸为0.5-3.5μm，例如为1-2.5μm，再例如为1.5μm、1.9μm、2.2μm或2.3μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为99％的粒径；
和/或，所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸为20-60nm，例如为40-60nm，再例如为42nm、45nm、50nm或55nm；所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒累计分布为90％的粒径；
和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料包含碳酸铈；
和/或，所述氧化铈颗粒为非湿法工艺制得；
和/或，所述氧化铈颗粒用于抛光工艺中作为抛光浆料的抛光粒子。


3.如权利要求1所述的氧化铈颗粒，其特征在于，所述氧化铈颗粒由以下制备方法制得，所述制备方法包括以下步骤：所述氧化铈颗粒的前驱体材料经固体生成步骤制得二氧化铈粉末，将所述二氧化铈粉末与水混合，研磨，得含所述氧化铈颗粒的浆料。


4.如权利要求3所述的氧化铈颗粒，其特征在于，所述制备方法还包括在所述固体生成步骤之前对所述氧化铈颗粒的前驱体材料的预处理步骤，例如所述预处理步骤包括对所述氧化铈颗粒的前驱体材料进行干燥；
和/或，所述混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，蒋闯，马丽，寇浩东，孙涛，章玲然，张德贺，秦长春，
申请(专利权)人：上海晖研材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31