一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法技术

一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法属于微米级晶型、粒径可控粉体制备领域。碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以2‑10℃/min的升温速率升温到400℃‑1050℃，而后保温2‑8小时，自然降至室温即得到二氧化铈抛光粉体。采用碳酸铈原料焙烧法制备二氧化铈，通过改变焙烧温度、升温速率、保温时间等因素制备微米级可控晶型、可控粒径二氧化铈抛光粉的方法，其制备方法可操作性强，焙烧工艺简单，焙烧温度、保温时间、升温速率控制精确，可获得从原料碳酸铈到可控晶型、可控粒径的微米级CeO

【技术实现步骤摘要】
一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法一、
本专利技术涉及一种微米级粉体的制备方法，尤其是一种通过焙烧方法制备微米级二氧化铈的方法，具体地说是一种碳酸铈焙烧制备微米级二氧化铈抛光粉的方法，属于微米级粉体晶型、粒径控制的
二、
技术介绍
二氧化铈(CeO2)为稀土族氧化物中含量最丰富且应用最为广泛的化合物，一般为浅黄色甚至粉红色至红棕色粉末，是一种难溶的氧化物。CeO2晶体属面心立方晶系，空间群Fm3m，为CaF2型八配位体典型结构，立体结构为铈离子的周围有8个等距的氧离子，氧离子周围有4个铈离子，因此正负离子的配位数为Ce4+:O2-＝8:4，且Ce4+离子半径为O2-离子半径为两者之和为与Ce-O键长基本一致，故Ce和O是紧密排列的。CeO2晶体主要是由(200)晶面和(111)晶面组成，其中(200)晶面间距远远小于(111)晶面间距，由于晶面间距越小，相邻晶粒之间的引力就会越大，晶体表面的纵向生长速度也会随之增大，所以(200)晶面的纵向生长速度大于(111)晶面。而晶面的生长速率越大，其表层晶面的面积就会越小，因此一般情况下CeO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法，其特征在于：将碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以2-10℃/min的升温速率升温到400℃-1050℃，保温2-8h，通过改变焙烧温度、升温速率、保温时间因素之一得到几种制备微米级可控晶型、可控粒径二氧化铈抛光粉，而后自然降温。/n

【技术特征摘要】
1.一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法，其特征在于：将碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以2-10℃/min的升温速率升温到400℃-1050℃，保温2-8h，通过改变焙烧温度、升温速率、保温时间因素之一得到几种制备微米级可控晶型、可控粒径二氧化铈抛光粉，而后自然降温。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以2℃/min的升温速率升温到400℃并保温2h，而后自然降至室温，得到黄色的立方晶系结构的二氧化铈抛光粉，其主峰(111)晶面2θ位于28.542°处，晶格常数为晶面间距为粒径大小11.90nm，谢乐公式计算值8.7393nm。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以3℃/min的升温速率升温到500℃-700℃并保温3h，而后自然降至室温，得到浅黄色、黄白色、土黄色的立方晶系结构的二氧化铈抛光粉，主峰(111)晶面2θ分别位于28.557°、28.552°、28.542°处，晶格常数分别为晶面间距分别为


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将碳酸铈原料放入刚玉坩埚中，置入马弗炉中以5℃/min的升温速率升温到750℃-800℃并保温4h，而后自然降至室温，得到土黄色及土粉色的立方晶系结构的二氧化铈抛光粉，主峰(111)晶面2θ分别位于28.577°及28.572°处，晶格常数分别为及晶面间距分别为及粒径大...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯平仓，梅燕，夏烨，
申请(专利权)人：四川瑞驰拓维机械制造有限公司，北京工业大学，
类型：发明
国别省市：四川;51