一种抛光浆料组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种抛光浆料组合物。本发明专利技术的抛光浆料组合物通过如下原料制得，所述原料包括如下质量分数的组分：水、0.1％‑10％氧化铈、0.1～5％抑制剂、0.01～5％添加剂、0.01～2％pH调节剂和50‑500ppm阴离子表面活性剂；所述各组分质量分数为该组分在抛光浆料组合物中的质量分数；各组分质量分数之和为100％；所述添加剂为如式I所示的化合物。本发明专利技术的抛光浆料组合物能降低凹陷和侵蚀的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光浆料组合物。

技术介绍

1、化学机械抛光(cmp)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载晶圆的研磨头组成。其中研磨头固定住晶圆，然后将晶圆的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨颗粒的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。晶圆表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。为了在浅槽隔离(shallow trenchisolation)sti工艺中保护图案化多晶硅膜质，需要提高绝缘膜层的抛光率并降低多晶硅膜层的抛光率，即所谓的选择性抛光特性。尤其，即使在单元式(cell type)图案中过度抛光，也应减少对多晶硅膜的损耗。

2、氧化铈作为抛光磨料用于精密玻璃抛光和超大规模集成电路二氧化硅介质层的抛光已经有了很悠久的历史，氧化铈磨料由于其可与氧化硅发生化学反应，在相同条件下，氧化铈的抛光速率大约是氧化硅的三倍，尤其是在中性抛光液中保持较高的去除率，且在氧化硅与氮化硅之间的抛光选择比较高，已本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抛光浆料组合物，其特征在于，其通过如下原料制得，所述原料包括如下质量分数的组分：水、0.1％-10％氧化铈、0.1～5％抑制剂、0.01～5％添加剂、0.01～2％pH调节剂和50-500ppm阴离子表面活性剂；各组分质量分数为该组分在抛光浆料组合物中的质量分数；各组分质量分数之和为100％；

2.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或两个：

3.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或多个：

4.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或多个：

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【技术特征摘要】

1.一种抛光浆料组合物，其特征在于，其通过如下原料制得，所述原料包括如下质量分数的组分：水、0.1％-10％氧化铈、0.1～5％抑制剂、0.01～5％添加剂、0.01～2％ph调节剂和50-500ppm阴离子表面活性剂；各组分质量分数为该组分在抛光浆料组合物中的质量分数；各组分质量分数之和为100％；

2.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或两个：

3.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或多个：

4.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满足如下条件中的一个或多个：

5.如权利要求4所述的抛光浆料组合物，其特征在于，所述如式i所示的化合物为

6.如权利要求1所述的抛光浆料组合物，其特征在于，其满...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，马丽，史筱超，秦长春，
申请(专利权)人：上海晖研材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：