振膜及发声单体制造技术

本实用新型专利技术提供了一种振膜及发声单体，振膜包括振膜本体、固定部和折环部，固定部设在振膜本体的外围；折环部连接在振膜本体和固定部之间，折环部包括第一折环和第二折环，第二折环和第一折环相邻设置，第二折环设有至少两个，第一折环朝振膜本体的一侧凸起设置，第二折环朝振膜本体的另一侧凸起设置。该发声单体包括磁路系统和振动系统，振动系统包括前述的振膜。折环包括第一折环和至少两个第二折环，第一折环的凸起朝向和第二折环的凸起朝向分别位于振膜本体的相对两侧，如此设置，振膜的有效辐射面积增加，并使得总的劲度系数和力电耦合系数更加匹配，从而降低失真。从而降低失真。从而降低失真。

【技术实现步骤摘要】
振膜及发声单体


[0001]本技术涉及发声装置
，特别是涉及一种振膜及发声单体。

技术介绍

[0002]发声单体通常包括振动系统和磁路系统。其中，振动系统包括振膜和音圈，音圈固定在振膜上；而磁路系统形成磁间隙，音圈位于磁间隙的内部。
[0003]扬声器的失真主要由力电耦合系数Bl(x)、劲度系数kms(x)、电感Le(x)、阻尼Rms(v)的非线性导致。其中，劲度系数kms(x)主要由振动系统(振膜、FPC)和后腔的空气决定。后腔空气的k(x)＝(ρ0*c
02
*s(x)2)/(V0)，其中，V0是后腔空气的体积，ρ0是空气的密度，c0是空气中的声速，s(x)是振膜在不同位置的有效辐射面积。
[0004]然而，传统的小后腔扬声器，后腔空气的K(x)对整个扬声器的kms(x)占比更大，腔体越小，则影响越大，容易导致总的劲度系数kms(x)与力电耦合系数Bl(x)无法匹配，从而导致扬声器出现失真。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种振膜及发声单体；该振膜的有效辐射面积增加，使总的劲度系数与力电耦合系数更加匹配，降低失真；该发声单体采用前述的振膜，发声单体的失真度低。
[0006]一方面，一个实施例提供了一种振膜，包括：
[0007]振膜本体；
[0008]固定部，所述固定部设在所述振膜本体的外围；及
[0009]折环部，所述折环部连接在所述振膜本体和所述固定部之间，所述折环部包括第一折环和第二折环，所述第二折环和所述第一折环相邻设置，所述第二折环设有至少两个，所述第一折环朝所述振膜本体的一侧凸起设置，所述第二折环朝所述振膜本体的另一侧凸起设置。
[0010]上述振膜，折环包括第一折环和至少两个第二折环，第一折环的凸起朝向和第二折环的凸起朝向分别位于振膜本体的相对两侧，如此设置，振膜的有效辐射面积增加，并使得总的劲度系数和力电耦合系数更加匹配，从而降低失真。
[0011]下面进一步对技术方案进行说明：
[0012]在其中一个实施例中，所述第一折环连接在所述第二折环和所述固定部之间，所述第二折环设有两个，两个所述第二折环相邻设置并连接在所述第一折环和所述振膜本体之间。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一折环连接在所述第二折环和所述振膜本体之间，所述第二折环设有两个，两个所述第二折环相邻设置并连接在所述第一折环和所述固定部之间。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一折环的截面为半圆形，所述第二折环的截面为弧
形，所述第一折环的截面半径与所述第二折环的截面半径相等。
[0015]在其中一个实施例中，所述振膜本体呈平板状设置，所述折环部呈环状绕设于所述振膜本体的周缘，所述折环部的靠近所述振膜本体的一端与所述振膜本体平滑过渡连接，所述折环部的靠近所述固定部的一端与所述固定部平滑过渡连接，所述第一折环与所述第二折环平滑过渡连接。
[0016]在其中一个实施例中，所述振膜本体呈矩形设置，所述振膜本体的拐角位置呈圆弧过渡，所述第一折环和所述第二折环中的一个与所述振膜本体平滑过渡连接，另一个与所述固定部平滑过渡连接。
[0017]在其中一个实施例中，所述折环部还包括连接相邻的两个所述第二折环的连接部，所述连接部与所述第二折环均位于所述振膜本体的同一侧。
[0018]在其中一个实施例中，所述固定部呈平板状设置，所述固定部与所述振膜本体处于同一水平面上
[0019]另一方面，一个实施例还提供了一种发声单体，包括：
[0020]磁路系统，所述磁路系统包括主磁体和副磁体，所述副磁体设在所述主磁体的外周，所述副磁体和所述主磁体之间呈间隔设置并形成磁间隙；及
[0021]振动系统，所述振动系统位于所述磁路系统的一侧，所述振动系统包括音圈和如上述任一个技术方案所述的振膜，所述音圈与所述振膜本体固定，所述音圈靠近所述磁路系统的一端伸入所述磁间隙的内部。
[0022]上述发声单体，振动系统中的振膜采用前述任一个技术方案所述的振膜，通过改变振膜的有效辐射面积，使得总的劲度系数kms(x)与力电耦合系数Bl(x)更加匹配，从而降低了发声单体发出声音的失真度。
[0023]下面进一步对技术方案进行说明：
[0024]在其中一个实施例中，所述副磁体包括至少两个副磁单元，至少两个所述副磁单元呈间隔设置并环绕在所述主磁体的外周。
【附图说明】
[0025]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]此外，附图并不是以1:1的比例绘制，并且各个元件的相对尺寸在附图中仅示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。
[0028]图1为本技术中实施例一的振膜的整体结构示意图；
[0029]图2为沿图1的A
‑
A线进行剖切得到的振膜的整体结构截面图；
[0030]图3为本技术中采用实施例一的振膜制成的发声单体的整体结构示意图；
[0031]图4为沿图3的B
‑
B线进行剖切得到的发声单体的整体结构截面图；
[0032]图5为本技术中实施例二的振膜的整体结构示意图；
[0033]图6为沿图5的C
‑
C线进行剖切得到的振膜的整体结构截面图；
[0034]图7为本技术中实施例二的振膜应用于发声单体的截面图。
[0035]附图标注说明：
[0036]100、磁路系统；110、主磁体；121、副磁单元；130、磁间隙；200、振动系统；210、音圈；220、振膜；221、振膜本体；222、固定部；223、折环部；2231、第一折环；2232、第二折环；2233、连接部。
【具体实施方式】
[0037]下面结合附图和实施方式对本技术作进一步说明：
[0038]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0039]实施例一：
[0040]请参照图1和图2，一种振膜220，包括振膜本体221、固定部222和折环部223，其中：
[0041]振膜本体221为振膜220的主体，为振膜220的中心部，音圈210固定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振膜，其特征在于，包括：振膜本体；固定部，所述固定部设在所述振膜本体的外围；及折环部，所述折环部连接在所述振膜本体和所述固定部之间，所述折环部包括第一折环和第二折环，所述第二折环和所述第一折环相邻设置，所述第二折环设有至少两个，所述第一折环朝所述振膜本体的一侧凸起设置，所述第二折环朝所述振膜本体的另一侧凸起设置。2.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述第一折环连接在所述第二折环和所述固定部之间，所述第二折环设有两个，两个所述第二折环相邻设置并连接在所述第一折环和所述振膜本体之间。3.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述第一折环连接在所述第二折环和所述振膜本体之间，所述第二折环设有两个，两个所述第二折环相邻设置并连接在所述第一折环和所述固定部之间。4.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述第一折环的截面为半圆形，所述第二折环的截面为弧形，所述第一折环的截面半径与所述第二折环的截面半径相等。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的振膜，其特征在于，所述振膜本体呈平板状设置，所述折环部呈环状绕设于所述振膜本体的周缘，所述折环部的靠近所述振膜本体的一端与所述振膜本体平滑过渡连接，所述折环部的靠近所...

【专利技术属性】
技术研发人员：章统，令狐荣林，肖波，孔晨亮，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：新型
国别省市：