一种带分气环的单晶炉炉盖制造技术

本申请涉及单晶生产设备的领域，尤其是涉及一种带分气环的单晶炉炉盖，其包括炉盖以及竖直设置在炉盖上方的喉口管道，所述喉口管道与所述炉盖内侧连通，所述喉口管道上端设置有往主炉室内通入氩气的分气环组件，所述分气环组件上设置有总进气管，所述总进气管一端与所述分气环组件连通，所述总进气管另外一端与氩气源连接，所述分气环组件上开设有与炉体内连通的总进气口。本申请具有解决氩气充入到炉体内时，产生的涡流以及直接将氩气充入到炉体内导致气流在炉体内分布的不均匀的效果。导致气流在炉体内分布的不均匀的效果。导致气流在炉体内分布的不均匀的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种带分气环的单晶炉炉盖


[0001]本申请涉及单晶生产设备的领域，尤其是涉及一种带分气环的单晶炉炉盖。

技术介绍

[0002]目前单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。在人工晶体行业里广泛用到。一般硅单晶体制造方法如下：把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100m m左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体。
[0003]参照图5，单晶炉炉体由主炉室6、炉盖7、旋阀8、副室9等几部分组成。其中炉盖7位于主炉室6和旋阀8之间。单晶生产过程中，一炉会连续拉制多根单晶。在一根晶棒拉制完成后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带分气环的单晶炉炉盖，其特征在于：包括炉盖(1)以及竖直设置在炉盖(1)上方的喉口管道(2)，所述喉口管道(2)与所述炉盖(1)内侧连通，所述喉口管道(2)上端设置有往主炉室内通入氩气的分气环组件(3)，所述分气环组件(3)上设置有总进气管(4)，所述总进气管(4)一端与所述分气环组件(3)连通，所述总进气管(4)另外一端与氩气源连接，所述分气环组件(3)上开设有与炉体内连通的总进气口。2.根据权利要求1所述的一种带分气环的单晶炉炉盖，其特征在于：所述分气环组件(3)包括固定连接在喉口管道(2)上端开口边缘处的上法兰(31)以及固定连接在上法兰(31)内壁上呈环形的挡板(32)，所述上法兰(31)的内壁上从上向下依次开设有第一环形槽(311)、第二环形槽(312)和第三环形槽(313)，三者与所述挡板(32)之间均形成独立的空气腔，所述总进气管(4)的一端与第一环形槽(311)内部连通，所述第一环形槽(311)、所述第二环形槽(312)和所述第三环形槽(313)之间相连通，所述挡板(32)上且位于所述第三环形槽(313)的位置开设有若干个第三进气口(321)。3.根据权利要求2所述的一种带分气环的单晶炉炉盖，其特征在于：所述第一环形槽(311)的底壁上周向且等距开设有两个与第二环形槽(312...

【专利技术属性】
技术研发人员：常晓鱼，
申请(专利权)人：北京北方华创真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：