一种晶体生长装置制造方法及图纸

一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。体成品率。体成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长装置


[0001]本专利技术涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。

技术介绍

[0002]提拉法是一种从熔体中生长晶体的放法，是半导体晶体、光学晶体等的常见生长方法，该方法具有成品率高、生长速度快、易观察等特点。
[0003]提拉法常用单一加热器的生长方式。提拉法因为要将晶体提拉出熔体，尤其是提拉至较高位置时，先提拉出来的部分晶体，会因周边氛围温度较低而降温至较低温度。而晶体生长固液界面处的温度，一直维持在晶体熔点附近，因此，假设晶体中的纵向温度分布是线性分布的，那么晶体中的梯度约等于(T界
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T表)/L，L 为晶体生长固液界面到晶体表面的距离，T表为晶体表面温度，T界为晶体生长固液界面处温度（约为该晶体的熔点温度）。在稳态生长过程中，T界约等于晶体的熔点温度，约为固定值。而降低晶体温度梯度的主要方式为提高晶体表面温度T表。对提拉出来的晶体进行保温和加热，从而提高晶体表面温度梯度是较为常见的方法。
[0004]目前，主流的方式为在坩埚和晶体上方增加保温罩和后加热器的方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，包括炉体（19），置于炉体（19）底部的坩埚（18）及加热保温系统，正对坩埚（18）中心的晶体提拉机构，置于炉体（19）侧面的石英观察窗（11），所述加热保温系统包括加热器（7）、坩埚杆（12）、保温套（13），所述晶体提拉机构包括籽晶杆（3），籽晶夹头（2），其特征在于，所述装置还包括可升降式加热罩机构，所述可升降式加热罩机构包括加热罩体（8）、加热罩支撑部件（9）、设置在加热罩体（8）四周的加热丝（14）、加热罩升降机构（10），加热罩体（8）内部设置热偶（21）。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热罩体（8）顶部为圆锥形，下面为圆柱形，采用透明材料，其圆柱形外径小于坩埚（18）的内径。3.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热罩体（8）顶部为多层中空结构。4.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：史艳磊，孙聂枫，王书杰，刘惠生，孙同年，付莉杰，赵红飞，李亚旗，邵会民，康永，张晓丹，张鑫，姜剑，王阳，李晓岚，薛静，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：