半导体基片的加工方法技术

本申请提供一种半导体基片的加工方法，该方法包括：向放置有半导体基片的反应腔内通入刻蚀用气体，对所述半导体基片进行反应离子刻蚀处理；以及在所述反应离子刻蚀结束后，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧等离子体。根据本申请，在反应离子式刻蚀结束后使用氧等离子体对反应离子式刻蚀机的腔体进行清洁，由此，能够延长反应离子式刻蚀机的保养周期并且不影响产出品质。保养周期并且不影响产出品质。保养周期并且不影响产出品质。

【技术实现步骤摘要】
半导体基片的加工方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体基片的加工方法。

技术介绍

[0002]氧化硅(SiO2)因物理性质和化学性质稳定以及良好的电绝缘性广泛应用于集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)制造中，氧化硅的刻蚀应用也非常广泛。
[0003]目前市场上主流的氧化硅刻蚀设备为反应离子式刻蚀机(RIE)，刻蚀设备因在蚀刻反应过程中会产生较多的聚合物(聚合物)覆盖在反应腔体上，所以需要定期做保养。所谓保养，就是把覆盖在反应腔体表面的聚合物等清洗干净。如不及时进行保养，反应腔内上电极堆积的聚合物便会在蚀刻过程中掉落在待反应的晶面上形成缺陷(defect)从而影响产品良率。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]本申请的专利技术人发现，在现有技术中，对反应离子式刻蚀机的保养本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基片的加工方法，该方法包括：向放置有半导体基片的反应腔内通入刻蚀用气体，对所述半导体基片进行反应离子刻蚀处理；以及在所述反应离子刻蚀结束后，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧等离子体。2.如权利要求1所述的方法，其中，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧等离子体的处理中，向所述反应腔内通入的氧气的流量为500～800标准毫升每分钟(sccm)，所述反应腔内的压力为50～500毫托(mTorr)，所述反应腔内用于生成氧等离子体的射频功率为200～500瓦(W)。3.如权利要求2所述的方法，其中，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：许杨，杨超，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：