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本申请提供一种半导体基片的加工方法，该方法包括：向放置有半导体基片的反应腔内通入刻蚀用气体，对所述半导体基片进行反应离子刻蚀处理；以及在所述反应离子刻蚀结束后，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧等离子体。根据本申请，在反应离子式...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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