一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用，包括以下步骤：首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；将清洁后的导体进行干燥处理；将电子深度保护剂进行均匀加热处理；再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可，本发明专利技术通过将电子深度保护剂涂覆在导体的表面，通过电子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。有利于实际的使用。有利于实际的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用


[0001]本专利技术属于电子、电气
，具体为一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用。

技术介绍

[0002]现有生活中，当交变电流通过导体时，导体内部实际上没有任何电流，电流集中在临近导体外表的一薄层，这一现象称为趋肤效应，传输交流电流时，尤其是高频电流时，由于趋肤效应的影响，将会导致导线的等效电阻增加，损耗增大，故如何降低导体的趋肤效应已成为各科研单位研究的热点，而目前，现有的降低趋肤效应的常见方法，主要分为以下几类：1、用多股细导线并联代替相同截面积的单根导线来减低趋肤效应的影响；2、用空心导线代替相同截面积的实心导线来减低趋肤效应的影响；3、在导体表面镀银，以提高其表面导电性来减低趋肤效应的影响。
[0003]但是上述方法分别存在着不同的问题，比如方法1技术复杂，造价昂贵，会影响导线的机械性能；方法2技术工艺难度较大，应用范围较为局限；方法3造价昂贵，银容易氧化变色使其导电性变差。

技术实现思路
：
[0004]本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用，解决了
技术介绍
中提到的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种技术方案：
[0006]一种电子深度保护剂涂覆方法，包括以下步骤：
[0007]S1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；
[0008]S2、将清洁后的导体进行干燥处理；
[0009]S3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
>[0010]S4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。
[0011]作为优选，所述步骤S1中的清洗剂选自CRC2125高闪点精密电器清洗剂。
[0012]作为优选，所述步骤S3中的电子深度保护剂牌号选自RH
‑
35电子深度保护剂、RH
‑
55电子深度保护剂、YJ
‑
9201电接触表面润滑保护剂或YX
‑
9202电接触表面润滑保护剂其中的一种。
[0013]作为优选，所述步骤S3中的电子深度保护剂加热温度为35
‑
45℃。
[0014]作为优选，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中的浸涂时间为0.2
‑
2min。
[0015]作为优选，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂的厚度为0.2
‑
0.5μm。
[0016]作为优选，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的时间10
‑
20min。
[0017]作为优选，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的温度30
‑
50℃。
[0018]作为优选，所述的电子深度保护剂涂覆方法在降低导体趋肤效应中的应用。
[0019]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过将电子深度保护剂涂覆在导体的表面，通过电
子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。
附图说明：
[0020]为了易于说明，本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。
[0021]图1是本专利技术电子深度保护剂涂覆在导体表面流程示意图。
具体实施方式：
[0022]如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：
[0023]实施例：
[0024]一种电子深度保护剂涂覆方法，包括以下步骤：
[0025]S1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；
[0026]S2、将清洁后的导体进行干燥处理；
[0027]S3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
[0028]S4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。
[0029]其中，所述步骤S1中的清洗剂选自CRC2125高闪点精密电器清洗剂，便于更好的选择合适的清洗剂。
[0030]其中，所述步骤S3中的电子深度保护剂牌号选自RH
‑
35电子深度保护剂、RH
‑
55电子深度保护剂、YJ
‑
9201电接触表面润滑保护剂或YX
‑
9202电接触表面润滑保护剂其中的一种，便于更好的选择合适牌号的电子深度保护剂。
[0031]其中，所述步骤S3中的电子深度保护剂加热温度为35
‑
45℃，便于更好的控制加热温度。
[0032]其中，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中的浸涂时间为0.2
‑
2min，便于更好的控制浸涂时间。
[0033]其中，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂的厚度为0.2
‑
0.5μm，便于更好的保证浸涂厚度。
[0034]其中，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的时间10
‑
20min，便于更好的对干燥的时间进行控制。
[0035]其中，步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的温度30
‑
50℃，便于更好的对干燥的温度进行控制。
[0036]其中，所述的电子深度保护剂涂覆方法在降低导体趋肤效应中的应用，通过电子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。
[0037]以下通过具体实施例来说明本专利技术的有益效果：
[0038]实施例一、
[0039]本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，将电子深度保护剂涂覆于镀银器件上的方法，包括以下步骤:
[0040]S1、采用清洗剂配合使用相关设备对镀银器件进行清洁处理；
[0041]S2、将清洁后的镀银器件进行干燥处理；
[0042]S3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
[0043]S4、将步骤S2处理后的镀银器件置于电子深度保护剂中浸涂，并放入烘箱干燥，烘干完成后晾至常温即可。
[0044]其中清洗剂选自CRC2125高闪点精密电器清洗剂，电子深度保护剂牌号为RH
‑
35，电子深度保护剂涂覆于镀银器件表面的厚度为0.2μm，电子深度保护剂的加热温度为35℃，浸涂时间为0.2min，干燥时间为10min，干燥温度为30℃。
[0045]实施例二、
[0046]本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为0.3μm外，其余步骤均与实施例一相同。
[0047]实施例三、
[0048]本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为0.4μm外，其余步骤均与实施例一相同。
[0049]实施例四、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；S2、将清洁后的导体进行干燥处理；S3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；S4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。2.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S1中的清洗剂选自CRC2125高闪点精密电器清洗剂。3.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S3中的电子深度保护剂牌号选自RH
‑
35电子深度保护剂、RH
‑
55电子深度保护剂、YJ
‑
9201电接触表面润滑保护剂或YX
‑
9202电接触表面润滑保护剂其中的一种。4.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S3中的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李长宏，夏春燕，
申请(专利权)人：重庆新原港科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：