一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，步骤一，除油：电镀前进行除油处理，通常用汽油或酒精清洗，然后进行化学除油；步骤二，粗化：采用化学浸蚀粗化的方法对除油后的陶瓷制品的表面进行粗化；步骤三，敏化：使粗化后的零件表面吸附一层有还原性的二价锡离子，在随后的离子型活化处理时，将钯离子还原成有催化作用的钯，步骤四，活化处理：使零件表面形成一层有催化活性的贵金属层，使化学镀能自发进行，步骤五，还原：改变零件表面催化活性，以及步骤六、步骤七，此高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，采用水镀+热处理工艺，镀镍膜外观均一，无脱落，膜层的结合力好，膜层致密性佳，膜层性能更好。膜层性能更好。膜层性能更好。

【技术实现步骤摘要】
一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷电阻
，具体为一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法。

技术介绍

[0002]金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料，用真空蒸发或溅射的方法，在陶瓷基本上形成电阻膜层的电阻器。这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得，即在真空中加热合金，合金蒸发，沉积到陶瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。金属膜电阻器的制造工艺比较灵活，不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度，也可通过刻槽调整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范围较宽的电阻器。
[0003]现有金属膜制备方法是将陶瓷棒置于物理气相沉积腔体的旋盘中，通过转盘的转动，转动产品，使磁棒表面均匀覆着0.2um镍金属膜，如说明书附图1。
[0004]PVD是物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition)的简称，是指在真空条件下，采用物理的方法将材料(俗称靶材或膜料)气化成气态分子、原子或离子，并将其沉积在工件形成具有某种特殊功能的薄膜的技术。
[0005]PVD蒸镀沉积的金属膜，膜与磁棒通过范德华力结合在一起，结合力低，用透明胶布都可以粘下，导致后续成品加工时，易出现金属膜局部脱落等不良，不利于制备精密陶瓷电阻，为此，我们提出一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，包括以下步骤：
[0008]步骤一，除油：电镀前进行除油处理，通常用汽油或酒精清洗，然后进行化学除油；
[0009]步骤二，粗化：采用化学浸蚀粗化的方法对除油后的陶瓷制品的表面进行粗化，使陶瓷制品的表面亲水性和形成适当的粗糙度提高，以保证镀层有良好的附着力；
[0010]步骤三，敏化：使粗化后的零件表面吸附一层有还原性的二价锡离子，在随后的离子型活化处理时，将钯离子还原成有催化作用的钯；
[0011]步骤四，活化处理：使零件表面形成一层有催化活性的贵金属层，使化学镀能自发进行；
[0012]步骤五，还原：改变零件表面催化活性，除去残留在零件表面的活化液，防止它被带入化学镀液中引起溶液分解；
[0013]步骤六，化学镀镍：在陶瓷棒表面的钯粒子，催化化学镍反应的进行，在表面形成致密的膜层；
[0014]步骤七，热处理：化学镍层，表面是微观多微孔结构，使用热处理工艺烘干陶瓷棒表面，使残留的水分，挥发掉，增强产品的耐蚀性，化学镍后的陶瓷棒，按批量置于加热滚筒
中。
[0015]优选的，步骤一所述的化学除油液的组分及工艺条件如下：
[0016][0017][0018]优选的，步骤二中所述的化学浸蚀粗化工艺如下：
[0019]氢氟酸50
‑
60mL/L氟化铵200
‑
220g/L时间8
‑
10min温度30℃
[0020]优选的，步骤三中所述的敏化处理工艺如下：
[0021][0022]优选的，步骤四中所述的活化处理工艺如下：
[0023][0024][0025]优选的，步骤五中所述的还原工艺如下：
[0026]H2SO435
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45g/l解胶盐18
‑
22g/L时间5
‑
10s温度室温
[0027]优选的，步骤六中所述的化学镀镍处理工艺如下：
[0028]NiSO4.6H2O15
‑
22g/lPH8.0
‑
8.5NaH2PO25.0
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8.0g/lNa3Cit30
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40g/lNH4Cl30
‑
38g/lNiSO4.6H2O15
‑
22g/lNaH2PO25.0
‑
8.0g/lPH8.0
‑
8.5时间8
–
10min温度室温
[0029]优选的，步骤七所述的热处理工艺中，加热滚筒升温速度设置为5℃/min，升温至400℃，单滚筒旋转速度10转/min,保温3小时。
[0030]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0031]本专利技术采用水镀+热处理工艺，镀镍膜外观均一，无脱落，膜层的结合力好，膜层致密性佳，膜层性能更好。
附图说明
[0032]图1为现有金属膜制备方法制得的陶瓷棒图；
[0033]图2为本专利技术采用水镀+热处理工艺制得的金属膜电阻图；
[0034]图3为本专利技术整体工艺流程示意图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]请参阅图1
‑
3，本专利技术提供一种技术方案：一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，包括以下步骤：
[0037]步骤一，除油：陶瓷制品表面常沾有油污、手汗，它们会使电镀层附着力变差，产生龟裂、起泡和脱落，电镀前应进行除油处理，通常用汽油或酒精清洗，然后进行化学除油，化学除油液的组分及工艺条件如下；
[0038][0039][0040]步骤二，粗化：粗化的目的是提高陶瓷制品的表面亲水性和形成适当的粗糙度，以保证镀层有良好的附着力，它是决定镀层附着力大小的最关键的工序，粗化方法有多种，效果不一，就提高镀层附着力而言，化学浸蚀粗化优于溶剂溶胀粗化，而后者又优于机械粗化，一种切实可行的化学浸蚀粗化工艺如下；
[0041]氢氟酸50
‑
60mL/L氟化铵200
‑
220g/L时间8
‑
10min温度30℃
[0042]步骤三，敏化：陶瓷制品是绝缘体，无法直接电镀，需先敏化、活化、化学镀后再施以电镀，敏化处理的机理是使粗化后的零件表面吸附一层有还原性的二价锡离子，以便在随后的离子型活化处理时，将钯离子还原成有催化作用的钯，敏化处理实用工艺如下；
[0043][0044][0045]步骤四，活化处理：使零件表面形成一层有催化活性的贵金属层，使化学镀能自发
进行；
[0046]PdCl230
‑
50ppmHCl250
‑
300ml/lSnCl2.2H2O1
‑
3g/l时间10
–
15s温度室温
[0047]步骤五，还原：通过还原处理，一方面可以提高表面的催化活性，加快化学镀沉积速度，另一方面还能除去残留在零件表面的活化液，防止它被带入化学镀液中引起溶液分解；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤一，除油：电镀前进行除油处理，通常用汽油或酒精清洗，然后进行化学除油；步骤二，粗化：采用化学浸蚀粗化的方法对除油后的陶瓷制品的表面进行粗化，使陶瓷制品的表面亲水性和形成适当的粗糙度提高，以保证镀层有良好的附着力；步骤三，敏化：使粗化后的零件表面吸附一层有还原性的二价锡离子，在随后的离子型活化处理时，将钯离子还原成有催化作用的钯；步骤四，活化处理：使零件表面形成一层有催化活性的贵金属层，使化学镀能自发进行；步骤五，还原：改变零件表面催化活性，除去残留在零件表面的活化液，防止它被带入化学镀液中引起溶液分解；步骤六，化学镀镍：在陶瓷棒表面的钯粒子，催化化学镍反应的进行，在表面形成致密的膜层；步骤七，热处理：化学镍层，表面是微观多微孔结构，使用热处理工艺烘干陶瓷棒表面，使残留的水分，挥发掉，增强产品的耐蚀性，化学镍后的陶瓷棒，按批量置于加热滚筒中。2.根据权利要求1所述的一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方法，其特征在于：步骤一所述的化学除油液的组分及工艺条件如下：所述的化学除油液的组分及工艺条件如下：3.根据权利要求2所述的一种高结合力电镀膜陶瓷电阻制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘滔，邱建伟，黄中胜，
申请(专利权)人：娄底市精细陶瓷工业技术检测中心国家电子陶瓷产品质量监督检验中心湖南，
类型：发明
国别省市：