用于反激电源转换器的局部零电压切换(ZVS)及其方法技术

技术编号:28204528 阅读:26 留言:0更新日期:2021-04-24 14:31
本发明专利技术题为“用于反激电源转换器的局部零电压切换(ZVS)及其方法”。本发明专利技术公开了一种用于反激电源转换器的控制器,包括:线路电压检测电路,该线路电压检测电路响应于检测到输入线路电压大于第一阈值而激活高压线路检测信号;不连续导通模式检测电路,该不连续导通模式检测电路响应于检测到该控制器以不连续导通模式操作而激活不连续导通模式信号;和切换控制器,该切换控制器耦接到该线路电压检测电路和该不连续导通模式检测电路,响应于该高压线路检测信号和该不连续导通模式信号的激活而使用局部零电压切换来控制初级侧晶体管和次级侧晶体管,并且在其他情况下不使用局部零电压切换。电压切换。电压切换。

【技术实现步骤摘要】
用于反激电源转换器的局部零电压切换(ZVS)及其方法


[0001]本公开整体涉及电源转换器,并且更具体地涉及使用反激变压器的电源转换器。

技术介绍

[0002]开关模式电源可用于通过经由储能元件(诸如变压器)切换电流而从交流(AC)电压产生直流(DC)电压。开关的占空比被控制以将输出电压调节到期望的电平。开关模式电源在较重的负载下通常是有效的,但在较轻的负载下效率较低。两种常用类型的隔离开关模式电源是正向模式转换器和反激模式转换器。
[0003]反激转换器在AC电压到DC电压应用中是常见的。反激转换器基于反激变压器,该反激变压器交替地在磁芯中形成通量并将能量传输至输出端。当电流通过初级绕组切换时,变压器中的初级电流增加,从而将能量储存在变压器内。当开关断开时,变压器中的初级电流下降,并且次级电流基于存储在标记为“Lm”的磁化电感中的能量而流动。当次级电流流动时,变压器的初级电压由反射的输出电压确定。即使当同步整流器(SR)晶体管不导通时,次级电流也可流过SR晶体管处的内部二极管。控制器改变与初级绕组串联的初级开关的导通时间和断开时间,以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于具有反激变压器的电源转换器的控制器,所述反激变压器具有由初级侧晶体管切换的初级绕组和由次级侧晶体管切换的次级绕组,所述控制器包括:线路电压检测电路,所述线路电压检测电路用于响应于检测到输入线路电压大于第一阈值而激活高压线路检测信号;不连续导通模式检测电路,所述不连续导通模式检测电路用于响应于检测到所述控制器以不连续导通模式操作而激活不连续导通模式信号;和切换控制器,所述切换控制器耦接到所述线路电压检测电路和所述不连续导通模式检测电路,以用于响应于所述高压线路检测信号和所述不连续导通模式信号的激活而使用局部零电压切换来控制所述初级侧晶体管和所述次级侧晶体管,并且在其他情况下不使用局部零电压切换来控制所述初级侧晶体管和所述次级侧晶体管。2.根据权利要求1所述的控制器,其中所述线路电压检测电路包括:漏极电压检测电路,所述漏极电压检测电路用于提供与导通的所述次级侧晶体管的漏极的电压成比例的漏极电压感测信号;输出电压检测电路,所述输出电压检测电路用于提供与所述电源转换器的输出电压成比例的输出电压感测信号;和比较器,所述比较器用于将所述漏极电压感测信号和所述输出电压感测信号之间的差值与第二阈值进行比较,其中所述线路电压检测电路响应于所述比较器检测到所述差值大于所述第二阈值而提供所述高压线路检测信号。3.根据权利要求2所述的控制器,其中所述线路电压检测电路还包括:阈值电压生成电路,所述阈值电压生成电路具有用于接收修整电压的输入端,以及用于根据高压线路电压阈值和所述反激变压器的匝数比来提供所述第二阈值的输出端。4.根据权利要求1所述的控制器,其中所述不连续导通模式检测电路响应于以下情形而检测到所述控制器正以所述不连续导通模式操作:检测到所述控制器用于响应于控制回路激活到所述初级侧晶体管的初级栅极驱动信号的触发脉冲与在去激活前一初级侧栅极驱动信号之后到所述次级侧晶体管的次级栅极驱动信号的第一次激活没有重叠。5.根据权利要求1所述的控制器,所述控制器还包括:输出电压检测电路,所述输出电压检测电路用于响应于检测到所述次级绕组两端的输出电压大于第二阈值而激活高输出电压检测信号,其中所述切换控制器还耦接到所述输出电压检测电路,并且响应于所述高压线路检测信号、所述不连续导通模式信号以及所述高输出电压检测信号的激活而使用局部零电压切换来控制所述初级侧晶体管和所述次级侧晶体管,并且在其他情况下不使用局部零电压切换来控制所述初级侧晶体管和所述次级侧晶体管。6.根据权利要求1所述的控制器,其中:所述控制器形成于单个集成电路封装件中并且具有初级控制器和次级控制器,其中所述次级控制器与所述初级控制器电流隔离并且通信地耦接到所述初级控制器。7.一种电源转换器,所述电源转换器...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁烽根S
申请(专利权)人:半导体组件工业公司
类型:发明
国别省市:

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