一种副边禁止的控制电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种副边禁止的控制电路，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，本实用新型专利技术在第一副边电路设置MOS管Q2、二极管D2，进而通过控制MOS管Q2的关断及开通，实现第一副边电路和第二副边电路断开时输出电压的快速恢复；当变压器输入电压后，VDD端的电压及VE端的电压建立起来；当INH端接输出地GNDo时,MOS管Q2的栅极电压为二极管D2正向压降，由于电压不足以驱动MOS管Q2，故MOS管Q2关断,输出电压Vo为0V；当INH端与输出地GNDo断开时，由于VDD端的电压及VE端的电压一直存在，因此Vo端的输出电压可快速建立。的输出电压可快速建立。的输出电压可快速建立。

【技术实现步骤摘要】
一种副边禁止的控制电路


[0001]本技术涉及控制电路领域，尤其是一种副边禁止的控制电路。

技术介绍

[0002]针对现有的大多DC/DC电源，其禁止功能控制电路一般位于原边,当禁止功能断开时， DC/DC电源输出电压重新建立，建立时间较长。
[0003]由于具有禁止功能的控制电路要做到断开、输出电压须快速建立，采用原边禁止不适合。本技术设计出一种副边禁止的控制电路，可以实现副边禁止及禁止功能断开时输出电压的快速恢复。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本技术提出一种副边禁止的控制电路。
[0005]本技术通过以下技术方案实现的：
[0006]本技术提出一种副边禁止的控制电路，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，所述变压器包括原边绕组X1
‑
X2、第一副边绕组Y1
‑
Y2、第二副边绕组Y3
‑
Y4，第一副边绕组 Y1
‑
Y2耦接所述第一副边电路，第二副边绕组Y3
‑
Y4耦接所述第二副边电路。
[0007]其中，所述第一副边电路包括MOS管Q2、二极管D2、电阻R5，所述MOS管Q2的栅极与所述电阻R5的输出端、所述二极管D2的正极连接，所述二极管D2的正极连接INH端。
[0008]进一步地，所述第二副边电路包括稳压电路、二极管D3、电容C6，所述电容C6与所述稳压电路并联，所述稳压电路的输入端连接所述二极管D3的输出端。
[0009]进一步地，所述电阻R5将所述稳压电路的VE端耦接到所述MOS管Q2的栅极。
[0010]进一步地，所述稳压电路包括三极管Q3、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C7、二极管 U4，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R6的输入端，所述三极管Q3的发射极连接所述电阻R7的输入端，所述电容C7的输出端、所述电阻R7的输出端均连接所述电阻R8的输入端，所述电阻R8的输出端连接所述二极管U4的正极，所述二极管U4的负极连接所述三极管Q3 的基级。
[0011]进一步地，所述第二副边电路包括电容C3、电容C2、二极管D1，所述二极管D1正极连接所述第二副边绕组Y3
‑
Y4，所述二极管D1负极与所述MOS管Q2的漏极、所述电容C2的输入端连接，所述电容C2的输出端连接输出地输出地GNDo，所述电容C3的输入端连接二极管 D2的负极，所述电容C3的输出端连接输出地输出地GNDo。
[0012]进一步地，所述第二副边电路包括电容C4，所述电容C4的输入端连接MOS管Q2的源极，所述电容C4的输出端连接输出地输出地GNDo。
[0013]进一步地，所述副边禁止的控制电路还包括原边电路，所述原边电路的输出端连接所述原边绕组X1
‑
X2，所述原边电路的输入端连接所述MOS管Q2的漏极。
[0014]进一步地，所述原边电路包括MOS管Q1、电阻R1，所述MOS管Q1的漏极连接所述原边绕组X1
‑
X2，所述MOS管Q1的源极连接电阻R1的输入端，所述电阻R1的输出端接地。
[0015]本技术的有益效果：本技术的副边禁止的控制电路，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，本技术在第一副边电路设置MOS管Q2、二极管D2，进而通过控制 MOS管Q2的关断及开通，实现第一副边电路和第二副边电路断开时输出电压的快速恢复；当变压器输入电压后，VDD端的电压及VE端的电压建立起来；当INH端接输出地GNDo时,MOS 管Q2的栅极电压为二极管D2正向压降，由于电压不足以驱动MOS管Q2，故MOS管Q2关断, 输出电压Vo为0V；当INH端与输出地GNDo断开时，由于VDD端的电压及VE端的电压一直存在，因此Vo端的输出电压可快速建立。
附图说明
[0016]图1为所述副边禁止的控制电路的电路图。
具体实施方式
[0017]为了更加清楚、完整的说明本技术的技术方案，下面结合附图对本技术作进一步说明。
[0018]请参考图1，本技术提出一种副边禁止的控制电路，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，所述变压器包括原边绕组X1
‑
X2、第一副边绕组Y1
‑
Y2、第二副边绕组Y3
‑
Y4，第一副边绕组Y1
‑
Y2耦接所述第一副边电路，第二副边绕组Y3
‑
Y4耦接所述第二副边电路。
[0019]其中，所述第一副边电路包括MOS管Q2、二极管D2、电阻R5，所述MOS管Q2的栅极与所述电阻R5的输出端、所述二极管D2的正极连接，所述二极管D2的正极连接INH端。
[0020]本技术在第一副边电路设置MOS管Q2、二极管D2，进而通过控制MOS管Q2的关断及开通，实现第一副边电路和第二副边电路断开时输出电压的快速恢复；当变压器输入电压后，VDD端的电压及VE端的电压建立起来；当INH端接输出地GNDo时,MOS管Q2的栅极电压为二极管D2正向压降，由于电压不足以驱动MOS管Q2，故MOS管Q2关断,输出电压VO为0V；当INH端与输出地GNDo断开时，由于VDD端的电压及VE端的电压一直存在，因此输出电压 VO可快速建立。
[0021]本技术的副边禁止的控制电路采用单端反激拓扑结构，VDD端的电压为MOS管Q2漏极前稳压电压，VO端的电压为输出电压，VE端的电压为辅助绕组稳压电压，INH端为禁止功能脚。
[0022]进一步地，所述第二副边电路包括稳压电路、二极管D3、电容C6，所述电容C6与所述稳压电路并联，所述稳压电路的输入端连接所述二极管D3的输出端。
[0023]进一步地，所述电阻R5将所述稳压电路的VE端耦接到所述MOS管Q2的栅极。
[0024]进一步地，所述稳压电路包括三极管Q3、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C7、二极管 U4，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R6的输入端，所述三极管Q3的发射极连接所述电阻R7的输入端，所述电容C7的输出端、所述电阻R7的输出端均连接所述电阻R8的输入端，所述电阻R8的输出端连接所述二极管U4的正极，所述二极管U4的负极连接所述三极管Q3 的基级。
[0025]进一步地，所述第二副边电路包括电容C3、电容C2、二极管D1，所述二极管D1正极连接所述第二副边绕组Y3
‑
Y4，所述二极管D1负极与所述MOS管Q2的漏极、所述电容C2的输
入端连接，所述电容C2的输出端连接输出地输出地GNDo，所述电容C3的输入端连接二极管 D2的负极，所述电容C3的输出端连接输出地输出地GNDo。
[0026]进一步地，所述第二副边电路包括电容C4，所述电容C4的输入端连接MOS管Q2的源极，所述电容C4的输出端连接输出地输出地GNDo。
[0027]进一步地，所述副边禁止的控制电路还包括原边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种副边禁止的控制电路，其特征在于，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，所述变压器包括原边绕组X1
‑
X2、第一副边绕组Y1
‑
Y2、第二副边绕组Y3
‑
Y4，第一副边绕组Y1
‑
Y2耦接所述第一副边电路，第二副边绕组Y3
‑
Y4耦接所述第二副边电路；其中，所述第一副边电路包括MOS管Q2、二极管D2、电阻R5，所述MOS管Q2的栅极与所述电阻R5的输出端、所述二极管D2的正极连接，所述二极管D2的正极连接INH端；所述第二副边电路包括稳压电路、二极管D3、电容C6，所述电容C6与所述稳压电路并联，所述稳压电路的输入端连接所述二极管D3的输出端；所述电阻R5将所述稳压电路的VE端耦接到所述MOS管Q2的栅极。2.根据权利要求1所述的副边禁止的控制电路，其特征在于，所述稳压电路包括三极管Q3、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C7、二极管U4，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R6的输入端，所述三极管Q3的发射极连接所述电阻R7的输入端，所述电容C7的输出端、所述电阻R7的输出端均连接所述电阻R8的输入端，所述电阻R8的输出端连接所述二极管U4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朋飞，董亚周，高麟飞，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：