图像传感器封装件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种图像传感器封装件及其制造方法。图像传感器封装件包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于重配置线路结构上且具有传感面，其中传感面上配置有传感区以及第一导电柱，第一导电柱配置在传感区旁的周围区域；盖体，覆盖传感区；包封体，配置于重配置线路结构上且包封图像传感器芯片与盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于图像传感器芯片上方且上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中第一导体在与传感面垂直的方向上与图像传感器芯片交叠，其中第一导电柱与第一导体彼此对准并接合以电连接图像传感器芯片与上部半导体芯片。片与上部半导体芯片。片与上部半导体芯片。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器封装件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体芯片封装件及其制造方法，且特别是涉及一种图像传感器封装件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着数字时代的来临，图像传感器已逐渐被应用于人们的生活中，诸如智能手机、数字照相机、监视器等。为了使图像传感器同时具有轻薄体积以及高性能，目前的封装技术已尝试将半导体芯片整合于图像传感器封装件中。然而，研发人员在将半导体芯片整合于图像传感器封装件时，多半会面临半导体芯片与图像传感器芯片之间的信号沟通速度受限，进而导致图像传感器的整体效能仍有待进一步的提升。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种效能良好的图像传感器封装件。
[0004]本专利技术提供一种图像传感器封装件，包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于所述重配置线路结构上且具有传感面，其中所述传感面上配置有传感区以及第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述图像传感器芯片上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述图像传感器芯片与所述上部半导体芯片。
[0005]本专利技术提供一种图像传感器封装件，包括重配置线路结构；半导体元件，配置于所述重配置线路结构上，所述半导体元件包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有传感面，所述传感面上配置有传感区与第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述半导体元件上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述半导体元件交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述半导体元件与所述上部半导体芯片。
[0006]本专利技术提供一种制造图像传感器封装件的方法，包括：在重配置线路结构上设置图像传感器芯片，其中所述图像传感器芯片的传感面上配置有盖体与第一导电柱且所述第一导电柱在传感面上环绕所述盖体；在所述重配置线路结构上设置包封体以包封所述图像传感器芯片；执行平坦化工艺以使所述第一导电柱及所述盖体自所述包封体暴露出来；以及于所述包封体上设置上部半导体芯片以使得所述上部半导体芯片的第一导体与所述第一导电柱接合，所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠。
[0007]基于上述，本专利技术的图像传感器封装件可以提升图像传感器封装件的整体效能。
[0008]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
[0009]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0010]图1A至图1H是本专利技术的一实施例的制造图像传感器封装件的制造流程步骤的剖面示意图；
[0011]图2是本专利技术的一实施例的图像传感器封装件的剖面示意图；
[0012]图3是本专利技术的另一实施例的图像传感器封装件的剖面示意图。
[0013]附图标号说明
[0014]100、200：图像传感器封装件；
[0015]10：载体；
[0016]20：离型膜；
[0017]110：重配置线路结构；
[0018]112：第二导电柱；
[0019]114：介电层；
[0020]116：重配置布线层；
[0021]120、230：图像传感器芯片；
[0022]120A：传感面；
[0023]121：第一导电柱；
[0024]122：传感区；
[0025]125：密封结构；
[0026]130：盖体；
[0027]140：包封体；
[0028]150：上部半导体芯片；
[0029]151：第一导体；
[0030]152：第二导体；
[0031]160：底胶；
[0032]170：导电端子；
[0033]190：粘着剂层；
[0034]220：半导体元件；
[0035]230P：第一连接导体；
[0036]240P：第二连接导体；
[0037]240：下部半导体芯片；
[0038]D
T
、D
B
：宽度；
[0039]α：角度。
deposition，CVD)、等离子体增强型化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)等。介电层114的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(Bismaleimide-trazine resin，BT resin)或任何其他合适的聚合物是介电材料以及氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其他合适的硅介电材料。介电层114可以是包括感光性绝缘树脂的感光性绝缘层。
[0048]重配置线路结构110可包括多层或单层重配置布线层116。当重配置线路结构110包括多层重配置布线层116时，形成上层的重配置布线层116的工艺包括以下步骤。首先，在介电层114中形成开口以暴露出其下的重配置布线层116，其中于介电层114中形成开口的方法可取决于介电层114的材料而采用不同的工艺。当介电层114为包括感光性绝缘树脂的感光性绝缘层时，介电层114可通过光刻工艺进行图案化以形成开口。当介电层114为非感光性绝缘层时，介电层114可通过光刻/蚀刻工艺、激光钻孔工艺或机械钻孔工艺进行图案化以形成开口。参照图1B中的放大图，在介电层114中所形成的开口的上部宽度D
T
可大于下部宽度D
B
。也就是说，开口的倾斜侧壁(tapered sidewalls)与介电层114的上表面间的夹角α可大于90
°
。接着以与上述形成重配置布线层116的方法相同的方法形成上层的重配置布线层116以连接到经由介电层114的开口所暴露出的重配置布线层116。虽然在附图中，重配置线路结构110绘示为包括三层介电层114与三层重配置布线层116，但本专利技术不以此为限，重配置线路结构110可包括较附图更多层或更少层的介电层114与重配置布线层116。
[0049]参照图1C，可在重配置线路结构110上形成第二导电柱112。举例来说，形成第二导电柱112的工艺包括以下步骤。首先，在重配置线路结构110的介电层114中形成开口以暴露出重配置布线层116，其中在介电层114中形成开口的方法可取决于介电层114的材料而采用不同的工艺。当介电层114为包括感光性绝缘树脂的感光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器封装件，其特征在于，包括：重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于所述重配置线路结构上且具有传感面，其中所述传感面上配置有传感区以及第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述图像传感器芯片上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述图像传感器芯片与所述上部半导体芯片。2.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述上部半导体芯片包括多个上部半导体芯片，所述多个上部半导体芯片彼此并排地配置在所述包封体上。3.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，还包括第二导电柱，贯穿所述包封体，且其中所述上部半导体芯片的主动面上还配置有第二导体，所述第二导体在与所述传感面垂直的方向上不与所述图像传感器芯片交叠，且所述第二导电柱与所述第二导体接合以电连接所述上部半导体芯片与所述重配置线路结构。4.根据权利要求3所述的图像传感器封装件，其中所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。5.根据权利要求3所述的图像传感器封装件，其中所述第一导电柱与所述第一导体之间的接合面为无焊料接合面，且所述第二导电柱与所述第二导体之间的接合面为无焊料接合面。6.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述第一导电柱与所述第一导体通过熔点低于200℃的接合金属接合。7.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述上部半导体芯片包括逻辑芯片、存储器芯片及人工智能芯片中的至少一者。8.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述包封体的侧壁与所述重配置线路结构的侧壁对准。9.一种图像传感器封装件，包括：重配置线路结构；半导体元件，配置于所述重配置线路结构上，所述半导体元件包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有传感面，所述传感面上配置有传感区与第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述半导体元件与所述盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于所述半导体元件上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置
有第一导体，其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述半导体元件交叠，且所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述半导体元件与所述上部半导体芯片。10.根据权利要求9所述的图像传感器封装件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昇财，林育民，罗元听，林昂樱，倪梓瑄，陈昭蓉，黄馨仪，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：