平板探测器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而可提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。复杂度及成本。复杂度及成本。

【技术实现步骤摘要】
平板探测器的制备方法


[0001]本专利技术属于平板探测器领域，涉及一种平板探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy，简称DR)，是上世纪90年代发展起来的X射线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成为数字化X射线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。其在医疗影像诊断成像、工业探伤、安检等领域的应用越来越广泛，在X射线辐射成像应用中，一般要求平板探测器面积达43cm
×
43cm，X射线探测器TFT面板的设计对其功能的实现起了很大的作用。
[0003]平板探测器概括的说是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号，产生X射线图像的检测器。平板探测器由上百万乃至上千万个像素单元电路所组成，像素单元电路一般由薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)所组成。传统的平板探测器主要为非晶硅平板探测器，其像素单元电路由a
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Si TFT和a
‑
Si PD所组成。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成缓冲层；于所述缓冲层上形成图形化的源电极及漏电极；形成非晶氧化物薄膜，并图形化所述非晶氧化物薄膜，形成与所述源电极及漏电极相接触的非晶氧化物有源层；形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述非晶氧化物有源层、源电极、漏电极及缓冲层；图形化所述栅绝缘层，形成源电极互连孔及光电二极管通孔，其中，所述源电极互连孔显露部分所述源电极，所述光电二极管通孔显露部分所述缓冲层；形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述源电极互连孔、光电二极管通孔及栅绝缘层；于所述金属隔离层上形成光电二极管及透明顶电极；图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露部分所述金属隔离层；图形化所述金属隔离层，形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，其中，所述栅电极位于所述非晶氧化物有源层上方，所述金属互联层与所述光电二极管底电极及源电极互联；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述栅电极、金属互联层、光电二极管及透明顶电极；图形化所述第一保护层，形成公共电极通孔，所述公共电极通孔显露部分所述透明顶电极；形成金属层，并图形化所述金属层，形成公共电极，所述公共电极覆盖所述公共电极通孔；形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述公共电极；形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第二保护层。2.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述缓冲层包括SiO
x
层、SiN
x
层、SiO
x
N
y
层、AlO
x
层、ZrO
x
层、TiO
x
层及有机绝缘层中的一种或组合；所述缓冲层的厚度范围为3.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述源电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述源电极的厚度范围为所述漏电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述漏电极的厚度范围为4.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述非晶氧化物薄膜包括a
‑
IGZO层、a
...

【专利技术属性】
技术研发人员：解海艇，金利波，
申请(专利权)人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：