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本发明提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣...
该专利属于上海奕瑞光电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海奕瑞光电子科技股份有限公司授权不得商用。

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