一种用于减小负载电流变化影响的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；所述Sense接线端用于连接负载；所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。本实用新型专利技术通过设置第一晶体管和第二晶体管，能够使得在SENSE接线端大于VO端的电压值超过晶体管电压时，SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消SENSE电压的变化。降低由电流突变引起的电压突变，从而减小负载电流变化的影响。电流变化的影响。电流变化的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于减小负载电流变化影响的电路


[0001]本技术属于集成电子电路
，具体涉及一种用于减小负载电流变化影响的电路。

技术介绍

[0002]电流源用于向负载提供电流，因此电流源的应用范围广泛。相关技术中，很多芯片需要输出信号经过调制后反馈回芯片，当输出信号的负载功率变化时会产生抖动影响反馈电路，进而会影响整体芯片的性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于减小负载电流变化影响的电路以解决现有的负载电流变化对反馈电路产生影响进而影响整体芯片的性能的问题。
[0004]为实现以上目的，技术采用如下技术方案：一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括：Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；
[0005]所述Sense接线端用于连接负载；
[0006]所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense 接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，包括：Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；所述Sense接线端用于连接负载；所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。2.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，还包括：电感，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭虎，李建伟，王照新，蔡彩银，
申请(专利权)人：北京炎黄国芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：