电平转换模块制造技术

技术编号:28183940 阅读:36 留言:0更新日期:2021-04-22 02:07
本实用新型专利技术公开一种电平转换模块,包括发射单元,发射单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路,第一电平转换电路包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第三电阻,第一电阻的第一端与第一电平转换电路的信号输入端连接,第一电阻的第二端分别与第二电阻的第一端和第一NMOS管的栅极连接,第二电阻的第二端接地,第一NMOS管的源极接地,第一NMOS管的漏极与第三电阻的第一端连接;第二电平转换电路包括第二NMOS管和第四电阻,第二NMOS管的栅极分别与第三电阻的第一端和第一NMOS管的漏极连接,第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极分别与第四电阻的第一端和第二电平转换电路的信号输出端连接。的信号输出端连接。的信号输出端连接。

【技术实现步骤摘要】
电平转换模块


[0001]本技术涉及集成电路领域,特别涉及一种电平转换模块。

技术介绍

[0002]电平转换电路用于实现电平的逻辑转换,其被广泛应用于各种接口电路及输入输出单元中。目前,大部分使用单个的NMOS管进行电平转换,以实现不同电平的电路模块之间的通讯。而实际使用时,会存在因外接设备电源电压不稳定或接错线而导致电平转换电路中串出高压,导致MOS管及系统IC被烧毁。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提出一种电平转换模块,旨在解决现有的电平转换模块会因电压不稳定或接错线而导致MOS管及系统IC烧毁。
[0004]为实现上述目的,本技术提出一种电平转换模块,该电平转换模块包括发射单元,所述发射单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路,所述第一电平转换电路的信号输出端与所述第二电平转换电路的信号输入端连接;所述第一电平转换电路包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第三电阻,所述第一电阻的第一端与所述第一电平转换电路的信号输入端连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端和第一NMOS管的栅极连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与电源连接;所述第二电平转换电路包括第二NMOS管和第四电阻,所述第二NMOS管的栅极分别与第三电阻的第一端和第一NMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极分别与所述第四电阻的第一端和所述第二电平转换电路的信号输出端连接,所述第四电阻的第二端与电源连接。
[0005]优选地,所述第二电平转换电路还包括用于短路和过载保护的熔断电阻,所述熔断电阻的第一端分别与所述第四电阻的第一端和第二NMOS管的漏极连接,所述熔断电阻的第二端与所述第二电平转换电路的信号输出端连接。
[0006]优选地,所述第二电平转换电路还包括用于稳压的第一电容,所述第一电容的第一端与所述电源连接,所述第一电容的第二端接地。
[0007]优选地,所述电平转换模块还包括接收单元,所述接收单元包括第三电平转换电路和第四电平转换电路,所述第三电平转换电路的信号输出端与所述第四电平转换电路的信号输入端连接;所述第三电平转换电路包括第五电阻、第六电阻、第三NMOS管和第七电阻,所述第五电阻的第一端与所述第三电平转换电路的信号输入端连接,所述第五电阻的第二端分别与第六电阻的第一端和第三NMOS管的栅极连接,所述第六电阻的第二端接地,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极与所述第七电阻的第一端连接,所述第七电阻的第二端与电源连接;所述第四电平转换电路包括第四NMOS管和第八电阻,所述第四NMOS管的栅极分别与所述第七电阻的第一端和第三NMOS管的漏极连接,所述第四NMOS
管的漏极分别与所述第八电阻的第一端和所述第四电平转换电路的信号输出端连接,所述第八电阻的第二端与电源连接。
[0008]优选地,所述第四电平转换电路还包括用于稳压的第二电容,所述第二电容的第一端与电源连接,所述第二电容的第二端接地。
[0009]与现有技术相比,本技术实施例的有益技术效果在于:通过两个NMOS管进行电平转换,可防止因外部设备电压不稳或不小心接错线而烧毁系统IC,因为即使出现电压不稳或接错线的情况,也只是损坏NMOS管,而不会对后端的系统IC造成损坏,从而起到保护系统IC的作用。
附图说明
[0010]图1为本技术电平转换模块的发射单元的电路图;
[0011]图2为本技术电平转换模块的接收单元的电路图。
具体实施方式
[0012]下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0013]本技术提出一种电平转换模块,在一实施方式中,参见图1,该电平转换模块包括发射单元10,发射单元10包括第一电平转换电路11和第二电平转换电路12,第一电平转换电路11的信号输出端与第二电平转换电路12的信号输入端连接;第一电平转换电路11包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管11A和第三电阻R3,第一电阻R1的第一端与第一电平转换电路11的信号输入端连接,第一电阻R1的第二端分别与第二电阻R2的第一端和第一NMOS管11A的栅极连接,第二电阻R2的第二端接地,第一NMOS管11A的源极接地,第一NMOS管11A的漏极与第三电阻R3的第一端连接,第三电阻R3的第二端与电源连接;第二电平转换电路12包括第二NMOS管12A和第四电阻R4,第二NMOS管12A的栅极分别与第三电阻R3的第一端和第一NMOS管11A的漏极连接,第二NMOS管12A的源极接地,第二NMOS管12A的漏极分别与第四电阻R4的第一端和第二电平转换电路12的信号输出端连接,第四电阻R4的第二端与电源连接。
[0014]本实施例中,NMOS管的栅极为G,NMOS管的漏极为D,NMOS管的源极为S。第二电阻R2为下拉电阻,第三电阻R3为上拉电阻,第四电阻R4也为上拉电阻。当第一电阻R1为高电平时(第一NMOS管11A V
GS
>0.8V导通),第一NMOS管11A的栅极为高电平,第一NMOS管11A导通,第一NMOS管11A的漏极为低电平,第二NMOS管12A的栅极为低电平,第二NMOS管12A截止,第二NMOS管12A的漏极被上拉为高电平,从而实现电平转换。
[0015]本技术实施例通过两个NMOS管进行电平转换,可防止因外部设备电压不稳或不小心接错线而烧毁系统IC,因为即使出现电压不稳或接错线的情况,也只是损坏NMOS管,而不会对后端的系统IC造成损坏,从而起到保护系统IC的作用。
[0016]在一实施例中,本技术实施例所提出的第二电平转换电路12还包括用于短路
和过载保护的熔断电阻R9,熔断电阻R9的第一端分别与第四电阻R4的第一端和第二NMOS管12A的漏极连接,熔断电阻R9的第二端与第二电平转换电路12的信号输出端连接。
[0017]在另一实施例中,本技术实施例所提出的第二电平转换电路12还包括用于稳压的第一电容C1,第一电容C1的第一端与所述电源连接,第一电容C1的第二端接地。
[0018]在又一实施例中,本技术实施例所提出的电平转换模块还包括接收单元20,接收单元20包括第三电平转换电路21和第四电平转换电路22,第三电平转换电路21的信号输出端与第四电平转换电路22的信号输入端连接;第三电平转换电路21包括第五电阻R5、第六电阻R6、第三NMOS管21A和第七电阻R7,第五电阻R5的第一端与第三电平转换电路21的信号输本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平转换模块,其特征在于,包括发射单元,所述发射单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路,所述第一电平转换电路的信号输出端与所述第二电平转换电路的信号输入端连接;所述第一电平转换电路包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第三电阻,所述第一电阻的第一端与所述第一电平转换电路的信号输入端连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端和第一NMOS管的栅极连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与电源连接;所述第二电平转换电路包括第二NMOS管和第四电阻,所述第二NMOS管的栅极分别与第三电阻的第一端和第一NMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极分别与所述第四电阻的第一端和所述第二电平转换电路的信号输出端连接,所述第四电阻的第二端与电源连接。2.根据权利要求1所述的电平转换模块,其特征在于,所述第二电平转换电路还包括用于短路和过载保护的熔断电阻,所述熔断电阻的第一端分别与所述第四电阻的第一端和第二NMOS管的漏极连接,所述熔断电阻的第二端与所述第二电平转换电路的信号输出端连接。3.根据权利要求1所述的电平转换模块,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘威张学成
申请(专利权)人:深圳市云智易联科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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