【技术实现步骤摘要】
一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构
[0001]本专利技术涉及一种真空高压单晶炉,特别涉及一种可稳定地构建起炉腔内温度梯度场的真空高压单晶炉的炉体结构。
技术介绍
[0002]碲化汞是一种半导体材料,拥有优异的热电性能和负热膨胀系数,可以用于制作红外探测器;碲化汞晶体是采用区域熔炼的布里奇曼法制备的,所谓的布里奇曼法是:将碲化汞粉末状材料装在封闭的圆柱形石英管中,将石英管放置到坩埚中,坩埚放置于单晶炉中,在单晶炉中,设置有从高到低的具有一定温度梯度的加热场,炉中高温区域的温度,需要控制在略高于碲化汞粉末状材料熔点附近,石英管中的碲化汞粉末状材料,在高温区域开始熔解,并保持一段时间,随着石英管内的碲化汞粉末全部熔融,在封闭的石英管内,会生成较大压力的汞蒸气,为了防止石英管爆裂,一般在封闭的单晶炉中充入高压的氩气,以平衡石英管内外压力;随后,机械控制系统会控制坩埚支架,缓慢地将坩埚从炉中高温场逐步移动到低温场中去,即使坩埚逐步通过一个具有一定温度梯度的加热场,在此移动过程中,当坩埚底部的温度下降到碲化汞的熔点以下的温 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构,包括下炉体(1)和上炉体(3),上炉体(3)通过它的下端口错齿法兰盘(4)扣接在下炉体(1)的上端口错齿法兰盘(2)上,使上炉体内腔(9)与下炉体内腔(18)连通在一起,其特征在于,在下炉体(1)的炉底板中央处,设置有驱动轴伸出孔(24),在下炉体内腔(18)中,设置有沿上下竖直方向的下保温筒(20),在下保温筒(20)的内侧壁上设置有下保温筒加热电阻丝(21),驱动轴伸出孔(24)设置在下保温筒(20)中,在上端口错齿法兰盘(2)上设置有上保温筒支撑支架(10),在上保温筒支撑支架(10)上设置有沿上下竖直方向设置的上保温筒(11),在上保温筒(11)的内侧壁上设置有上保温筒加热电阻丝(13),在上保温筒(11)的顶端设置有盖板(12),下保温筒(20)与上保温筒(11)的底端对接在一起,下炉体(1)的炉底板、下保温筒(20)、上保温筒(11)和盖板组成一个封闭的炉内温度场空间,在该封闭的炉内温度场空间内设置有金属均温筒(14),在金属均温筒(14)内设置有防爆裂石英筒(15),驱动轴(23)从下向上穿过驱动轴伸出孔(24)后设置在防爆裂石英筒(15)中,在驱动轴(23...
【专利技术属性】
技术研发人员:张红梅,唐宏波,解永强,王宏杰,徐海涛,
申请(专利权)人:西北电子装备技术研究所中国电子科技集团公司第二研究所,
类型:新型
国别省市:
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