可防止热辐射外泄的高温真空钎焊炉的炉体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种可防止热辐射外泄的高温真空钎焊炉的炉体结构，解决了如何防止腔内热辐射外泄，以保证腔内真空高温温度场稳定的问题。在炉胆外套（4）内，等间隔弧度地设置有反射屏固定杆（10），在反射屏固定杆的内侧端，设置有加热钼带支撑架（13），在加热钼带支撑架（13）与炉胆外套（4）之间，设置有圆筒状反射屏（9），在加热钼带支撑架（13）上，设置有环形加热钼带（14）；在钎焊托盘支架（7）的内侧端上，设置有钎焊托盘（8），在钎焊托盘中设置有钎焊半导体器件；转接电极（17）的外侧端与引入电极座（19）上的引入电极（18），电连接，转接电极的内侧端与环形加热钼带（14）电连接。提高了半导体钎焊质量。钎焊质量。钎焊质量。

【技术实现步骤摘要】
可防止热辐射外泄的高温真空钎焊炉的炉体结构


[0001]本专利技术涉及一种钎焊炉，特别涉及一种热场稳定的高温真空钎焊炉的炉体结构。

技术介绍

[0002]真空钎焊炉是一种在高真空高温环境中对半导体器件进行钎焊的设备，钎焊过程为：对预焊接的两半导体器件上的需焊接部位，进行清洗去污，然后，涂以助焊剂并铺上焊料（粉状、粒状、片状焊料），将两个半导体器件对接后，放入钎焊炉内的料盘中；对钎焊炉炉腔进行抽真空，使炉内真空度达到10-4
Pa的高真空状态；加热炉内温度，使料盘中半导体器件的温度达到焊料的熔点温度，焊料熔化，将两半导体器件的焊接处连通在一起；随后降低炉温，使熔化的焊料凝固，从而完成两个半导体器件的焊接。钎焊炉炉腔内的焊接工作温度一般要达到1100℃，温度的控制需要到使焊料熔化，而被焊半导体器件不能被融化的状态，并且要求炉内温度热场要稳定，才能保证钎焊的质量，由于炉内处于高真空状态，热量主要靠辐射来进行传递，所以稳定的辐射热场是完成高质量钎焊的条件；现有技术是通过在钎焊炉的炉腔内均匀布设加热钼带，给加热钼带通以三相交流电流，靠加热钼带通电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可防止热辐射外泄的高温真空钎焊炉的炉体结构，包括炉体支架（1），在炉体支架（1）上，固定设置有圆筒形炉体外壳体（2），在圆筒形炉体外壳体（2）的腔体内底端处，设置有炉胆推入轨道（3），在炉胆推入轨道（3）上设置有圆筒形炉胆，圆筒形炉胆是通过它的炉胆外套（4）上设置的炉胆支架（5）和炉胆支架滚轮（6）设置在炉胆推入轨道（3）上的，在两平行的炉胆推入轨道（3）之间的圆筒形炉体外壳体（2）的腔体内，设置有钎焊托盘支架（7），在圆筒形炉体外壳体（2）的外壁上，分别设置有引入电极座（19）和抽真空阀门（20），在抽真空阀门（20）上连接有抽真空泵（21），其特征在于，在炉胆外套（4）内，等间隔弧度地设置有反射屏固定杆（10），反射屏固定杆（10），在圆筒形炉胆的纵向截面上，是沿径向方向放射状布设的，在反射屏固定杆（10）的内侧端，设置有加热钼带支撑架（13），在加热钼带支撑架（13）与炉胆外套（4）之间，设置有圆筒状反射屏（9），在加热钼带支撑架（13）上，设置有环形加热钼带（14）；钎焊托盘支架（7）的内侧端，依次穿过圆筒状反射屏（9）和环形加热钼带（14）后，设置在圆筒形炉胆的中央处，在钎焊托盘支架（7）的内侧端上，设置有钎焊托盘（8），在钎焊托盘（8）中设置有钎焊半导体器件；在圆筒状反射屏（9）上，设置有电极穿过孔（15），在电极穿过孔（15）...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳丽岩，唐宏波，解永强，杨晓东，王成君，杨雁红，
申请(专利权)人：西北电子装备技术研究所中国电子科技集团公司第二研究所，
类型：新型
国别省市：