半导体器件解理装置及解理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明专利技术提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。氧化或者污染等。氧化或者污染等。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件解理装置及解理方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件的
，尤其是涉及一种半导体器件解理装置及解理方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片在解理后形成巴条，巴条具有新鲜解理的腔面，但新鲜解理的腔面较为活跃，极其容易吸附空气中的水，氧等其他杂质。
[0003]为了避免腔面暴露在空气中容易吸附氧气氧化或者吸附气体和颗粒脏污等，当前采用的方法有在超高真空环境下进行腔面解理，然后钝化一层保护膜进行腔面保护，但这种方法对环境条件要求苛刻，需要超高真空的环境，成本较高并且不容易大批量操作。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供半导体器件解理装置及解理方法，以缓解现有的半导体器件解理方法不易操作，成本高的技术问题。
[0005]本专利技术提供的一种半导体器件解理装置，包括：解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。
[0006]进一步地，所述高压电场装置的工作电压大于4KV。
[0007]进一步地，还包括液体回收系统，所述液体回收系统包括回收槽、冷却装置和液体回收管路；所述冷却装置设置在所述回收槽的下端，所述喷雾装置向所述半导体器件喷洒的保护液流入到所述回收槽中，所述液体回收管路用于回收所述回收槽中的溶液。
[0008]进一步地，所述解理装置主体具有腔室，所述解理区域位于所述腔室内。
[0009]进一步地，还包括液体供给装置，所述液体供给装置与所述喷雾装置连接，用于向所述喷雾装置内提供保护液。
[0010]进一步地，所述液体供给装置包括储存槽和与所述储存槽连接的液体供给管路，所述液体供给管路与所述喷雾装置连接。
[0011]进一步地，还包括气体供给装置，所述气体供给装置与所述喷雾装置连接，用于向所述喷雾装置内提供惰性气体。
[0012]进一步地，所述气体供给装置包括气体供给管路和管道加热装置，所述气体供给管路与所述喷雾装置连接；所述管道加热装置设置在所述气体供给管路上，用于将惰性气体加热到100
‑
200℃。
[0013]进一步地，所述喷雾装置还包括气液混合装置，所述气液混合装置分别与所述气
体供给装置和所述液体供给装置连接并用于将惰性气体和保护液混合后向所述解理区域喷洒。
[0014]进一步地，所述气液混合装置上设置有用于调节气体供给装置向气液混合装置供气的进气量的气体调节阀和用于调节液体供给装置向气液混合装供液的进液量的液体调节阀。
[0015]本专利技术提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，雾化的保护液在强电场的作用下，使得溶液小颗粒电离出自由电子，从而变成液体离子，这些液体离子或者离子团簇，到达新鲜的腔面时，一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液也可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化，或者污染等。
[0016]且腔面形成保护膜后即使从雾化的保护液氛围中拿出，也能够避免其吸附氧气；当巴条移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面，有利于后续的蒸镀操作。
[0017]进一步的，储存槽内的保护液通过液体供给管路连接喷雾装置，通过对惰性气体进行高温加热（100
‑
200℃），使得高温惰性气体在雾化装置处与保护液体混合，进一步提升雾化效果，并且使得保护液雾化后具有一定的温度，能够加速在解理腔面处的氧化；而高压电场装置，电压大于4kV，可以在雾化气体两侧形成一个高压的电场，当高温雾化的液体小颗粒经过高压电场后，在强电场的作用下，使得保护液小颗粒或者惰性气体电离出自由电子，从而变成气体或液体离子，这些气体或者液体离子或者离子团簇，到达新鲜的腔面表面时，一方面可以消除腔面表面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液也可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化，或者污染等。
[0018]本专利技术还提供一种半导体器件解理方法，该方法应用于上述所述半导体器件解理装置，包括以下步骤：S1，喷雾装置向解理区域持续喷洒保护液；S2，高压电场装置使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾；S3，将半导体器件移动到解理区域进行解理；S4，保护液使解理后的巴条的腔面形成保护膜后将巴条移出所述解理区域。
[0019]进一步地，所述喷雾装置分别与液体供给装置和气体供给装置连接；在步骤S1中，所述气体供给装置供给的高压惰性气体与所述液体供给装置供给的保护液混合后从所述喷雾装置喷出。
[0020]进一步地，在步骤S1中，高压的所述惰性气体在进入喷雾装置前被管道加热装置加热。
[0021]进一步地，所述保护液为硫化铵溶液或氟化铵溶液。
[0022]本专利技术还提供一种半导体器件解理方法，该方法应用于上述所述半导体器件解理装置；本专利技术提供的半导体器件的解理方法，使半导体器件在保护液的保护下进行解理，一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液也可以在腔面形成保护膜，保护腔面不被氧化，或者污染等。
[0023]相比于在超真空下解理，本专利技术提供的半导体器件的解理方法不需要超真空的环
境，降低了操作的难度，且能够进行大批量操作，提高了解理效率。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本专利技术实施例提供的半导体器件解理装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的半导体器件解理方法的流程图。
[0026]图标：100
‑
腔室；200
‑
喷雾装置；300
‑
气液混合装置；400
‑
高压电场装置；500
‑
气体调节阀；600
‑
液体调节阀；700
‑
半导体器件；800
‑
解理装置主体；900
‑
回收槽；110
‑
液体回收管路；120
‑
冷却装置；130
‑
气体供给装置；131
‑
气体供给管路；132
‑
管道加热装置；140
‑
液体供给装置；141
‑
液体供给管路；142
‑
储存槽；150
‑
解理区域。
具体实施方式
[0027]下面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件解理装置，其特征在于，包括：解理装置主体（800），所述解理装置主体（800）具有用于半导体器件（700）解理的解理区域（150）；喷雾装置（200），用于使保护液形成雾状并向解理区域（150）喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置（400），用于使喷雾装置（200）喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。2.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述高压电场装置（400）的工作电压大于4KV。3.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括液体回收系统，所述液体回收系统包括回收槽（900）、冷却装置（120）和液体回收管路（110）；所述冷却装置（120）设置在所述回收槽（900）的下端，所述喷雾装置（200）向所述半导体器件（700）喷洒的保护液流入到所述回收槽（900）中，所述液体回收管路（110）用于回收所述回收槽（900）中的溶液。4.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述解理装置主体（800）具有腔室（100），所述解理区域（150）位于所述腔室（100）内。5.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括液体供给装置（140），所述液体供给装置（140）与所述喷雾装置（200）连接，用于向所述喷雾装置（200）内提供保护液。6.根据权利要求5所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述液体供给装置（140）包括储存槽（142）和与所述储存槽（142）连接的液体供给管路（141），所述液体供给管路（141）与所述喷雾装置（200）连接。7.根据权利要求5所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括气体供给装置（130），所述气体供给装置（130）与所述喷雾装置（200）连接，用于向所述喷雾装置（200）内提供惰性气体。8.根据权利要求7所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述气体供给装置（130）包括气体供给管路（131）和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘中华，杨国文，李颖，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：