【技术实现步骤摘要】
一种红外热堆传感器的封装结构及方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种红外热堆传感器的封装结构及方法。
技术介绍
[0002]红外热堆传感器(英文名称：transducer/sensor)是一种检测装置，通过将感应到的被测信息按一定规律变换成为对应的信号输出，以实现对信息的检测。典型的红外热堆传感器如温度红外热堆传感器、压力红外热堆传感器、光学红外热堆传感器等，不仅促进了传统产业的改造和更新换代，还不断开拓新型工业，成为人们关注的焦点。
[0003]随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化红外热堆传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。红外热堆传感器的对温度的处理中，采用热电堆单元接收辐射信息检测被测物体温度，同时为了提高准确度，需要同时热敏电阻单元接收当前环境温度，以便提高计算准确度。
[0004]然而，现有的红外热堆传感器中热电堆单元与热敏单元为分离设计后再重新组装，工艺复杂，体积较大，与微型化的趋势相违...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一表面的热电堆结构，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体；封盖基板，所述封盖基板设置于所述热电堆结构的上方，并与所述热电堆结构的上表面形成第一空腔，所述封盖基板上设有膜状热敏电阻。2.根据权利要求1所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述封盖基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面为封盖基板与所述热电堆结构围成第一空腔的表面，所述第二表面与第一表面相对；所述热敏电阻位于所述封盖基板的第一表面；或者，所述热敏电阻位于所述封盖基板的第二表面；或者，所述热敏电阻位于所述封盖基板内。3.根据权利要求1或2所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述封盖基板包括环绕所述热电堆结构的环形侧壁以及设于所述环形侧壁上的顶盖；所述热敏电阻位于所述第一空腔暴露的顶盖表面或环形侧壁表面；或者，所述热敏电阻位于与所述第一空腔相对的顶盖表面或环形侧壁表面；或者，所述热敏电阻位于顶盖内或者环形侧壁内；或者，所述热敏电阻位于顶盖与环形侧壁之间。4.根据权利要求3所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述第一基板的第二表面或所述热电堆结构的上表面设有第一连接凸块，所述第一连接凸块用于连接外部电路；所述热敏电阻与所述第一连接凸块电连接。5.根据权利要求4所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述热敏电阻位于与第一空腔相对的顶盖表面或环形侧壁表面时，或者，所述热敏电阻位于第一空腔暴露的顶盖表面或环形侧壁表面时：所述热敏电阻通过柔性导线和/或插塞与所述第一连接凸块电连接。6.根据权利要求4所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述热敏电阻位于顶盖内或者环形侧壁内时，或者，所述热敏电阻位于所述顶盖与所述环形侧壁之间时：所述热敏电阻通过第一电连接结构与所述第一连接凸块电连接。7.根据权利要求6所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括第一引出部、位于所述顶盖表面或环形侧壁表面上的第二连接凸块和第一连接结构；所述热敏电阻通过所述第一引出部与所述第二连接凸块电连接；所述第二连接凸块通过所述第一连接结构与所述第一连接凸块电连接；所述第一引出部包括位于顶盖内或环形侧壁内的插塞；所述第一连接结构包括柔性导线和/或插塞。8.根据权利要求1所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述热敏电阻的形状包括：S形排布或者螺旋状排布的线状面电极。9.根据权利要求1所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述热敏电阻的材料包括：铝、铜、镍、铬、铁、钛、金、银、铂、锰、钴、锌等一种、两种或两
种以上的金属或金属氧化物；或者半导体材料层；或者含重金属掺杂的半导体层，所述重金属掺杂的离子为：铝、铜、金、铂、银、镍、铁、锰、钼、钨、钛、锌、汞、镉、铬及钒中的一个或多个。10.根据权利要求4所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述第一基板的背面具有贯穿所述第一基板的热辐射隔离槽，所述热辐射隔离槽与所述热电堆结构相对；还包括：第二基板，所述第二基板与所述第一基板键合连接，使所述热辐射隔离槽夹设在所述热电堆结构和所述第二基板之间形成第二空腔。11.根据权利要求10所述的红外热堆传感器的封装结构，其特征在于，所述第二基板内设有第一互连结构，所述第一互连结构与位于所述第一基板上的所述第一连接凸块电连接；所述第二基板内还设有第二互连结构和第三互连...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。