一种不同厚度芯片嵌入载片结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种不同厚度芯片嵌入载片结构，包括：载片；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿所述载片的上下表面；第一芯片埋入腔，所述第一芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成；第二芯片埋入腔，所述第二芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿所述载片后从所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔的底部漏出；第一芯片，所述第一芯片正装贴片设置在所述第一芯片埋入腔中；以及第二芯片，所述第二芯片正装贴片设置在所述第二芯片埋入腔中，所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种不同厚度芯片嵌入载片结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及不同厚度芯片嵌入载片结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]对于光子计算GPU加速卡等应用，需要实现光子计算芯片内部光学互连互通、光源集成，如何利用微电子工艺实现光子计算芯片的外部光源快速、批量引入成为制约光子计算加速卡集成化、小型化的瓶颈。
[0003]对于在芯片间的硅光互连而言，目前已经有很多研究聚焦单模光学的低损耗耦合，但是在工艺上实现难度很高，如何权衡对准容差和耦合效率二者之间的关系，成为最终硅光是否可以实现量产的关键因素之一。
[0004]随着目前半导体芯片工艺节点越来越小，依靠单芯片系统集成(SOC)的难度越来越大，为应对摩尔定律放缓，多芯片堆叠和异质芯片封装已经成为目前主流的系统集成技术。而不同功能的芯片的加工制造通常具有更适合其性能和成本相平衡的工艺节点，比如硅光互连中所需要的驱动器和放大器芯片厚度通常为150um～200um，而硅光MPW芯片通常的芯片厚度为300um左右，在这种情况下，进行异质芯片封装，由于芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不同厚度芯片嵌入载片结构，包括：载片；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿所述载片的上下表面；第一芯片埋入腔，所述第一芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成；第二芯片埋入腔，所述第二芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿所述载片后从所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔的底部漏出；第一芯片，所述第一芯片正装贴片设置在所述第一芯片埋入腔中；以及第二芯片，所述第二芯片正装贴片设置在所述第二芯片埋入腔中，所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。2.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，还包括设置在所述载片上表面和所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔内侧和底部的表面钝化层。3.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，还包括设置在第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔底部的散热结构，所述散热结构与所述第二导电通孔电连接。4.如权利要求3所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，所述散热结构为铜柱或图形化金属层。5.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，所述第一芯片和/或所述第二芯片通过底填焊接材料正装贴片设置在所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔中。6.如权利要求5所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，所述底填焊接材料为焊锡或导电银胶/银浆。7.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构，其特征在于，第一芯片和/或所述第二芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛海韵，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：