一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料是由钙硼硅铅玻璃和氧化铝陶瓷组成，按质量分数计，钙硼硅铅玻璃为50wt％～70wt％，氧化铝陶瓷为30wt％～50wt％。制备方法包括钙硼硅铅玻璃粉体的制备，复合粉体的制备，以及复合粉体的成型和低温烧结。本发明专利技术的低温共烧陶瓷材料具有非常低的介电损耗，在20MHz下测得材料的介电损耗在3

【技术实现步骤摘要】
KP,Ramesh R,Seshan K,et al.Liquid
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Phase Sintering of Lead Borosilicate Glass
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Alumina Composite[J].J Mater Sci Lett,1990,9(6):663
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665.)利用组成为63PbO
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25B2O3
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12SiO2
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1.67Al2O3(wt％)的铅硼硅酸盐与55％的氧化铝进行复合，在900～1100℃之间进行烧结，其介电损耗在3
×
10
‑
3左右；张擎雪等(张擎雪.高密度封装用低温烧结AlN/玻璃复合材料的制备与性能研究[D].上海:中国科学院上海硅酸盐研究所,2002.)研究了组成为PbO
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SiO2
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B2O3
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K2O
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Al2O3的铅硼硅酸盐玻璃，烧结温度为900～1000℃，介电损耗为1
×
10
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>3。专利CN 10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：该低温共烧陶瓷材料由钙硼硅铅玻璃和氧化铝陶瓷组成，按质量分数计，钙硼硅铅玻璃为50wt％～70wt％，氧化铝陶瓷为30wt％～50wt％。2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述钙硼硅铅玻璃的制备原料以质量计主要由下述成分组成：3.根据权利要求2所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述钙硼硅铅玻璃的制备原料进一步包含0.2％～1％的Fe2O3。4.一种低温共烧陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：(1)钙硼硅铅玻璃粉体的制备：按权利要求2所列的配比将各原料混合均匀，然后升温熔炼，将熔炼后的玻璃液水淬成玻璃渣，再经球磨，得到钙硼硅铅玻璃粉体；(2)复合粉体的制备：将步骤(1)中所得钙硼硅铅玻璃粉体和氧化铝陶瓷粉体进行球磨混合，经烘干、过筛后，得到钙硼硅铅玻璃/氧化铝复合粉体；(3)复合粉体的成型：将步骤(2)中得到的复合粉体进行造粒，然后压制成型，得到坯体；(4)低温烧结：将步骤(3)中得到的坯体先进行排胶，然后升至一定温度进行保温烧结，随后自然冷却至室温。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述加热升温速率为5℃/min～15℃/m...

【专利技术属性】
技术研发人员：温俊磊，周世平，周纪平，马丹丹，李武，裴广斌，
申请(专利权)人：洛阳中超新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：