【技术实现步骤摘要】
III
‑
V族材料芯片去层方法
[0001]本专利技术涉及材料芯片处理
,特别是III
‑
V族材料芯片去层方法。
技术介绍
[0002]III
‑
V族半导体材料是元素周期表中IIIA元素与VA族元素组成的化合物,其化学成分比为1:1,主要包括以下几种化合物:GaAs、GaP、InP等;III
‑
V族半导体材料具有更宽的禁带宽度,广泛的应用在高速、高频、大功率芯片以及发光器件上,尤其是在半导体照明和通信技术上发展迅猛,针对相关芯片的工艺分析的需求也与日俱增;
[0003]现有的对芯片进行去层工艺是将芯片封装完全去除后,从芯片的顶层开始逐层去除;但对于III
‑
V族半导体材料芯片,由于其材质较软,在研磨和刻蚀的过程中金属容易损坏,并且其dif层也会在外力的作用下容易发生破碎。
[0004]鉴于上述情况,有必要对现有的芯片去层方法加以改进,使其能够适应现在对半导体芯片材料去层的需要。
技术实现思路
[0005]目前对芯片进行去层工艺通常是将芯片封装去除后,然后一层一层将芯片进行去除,但是对于III
‑
V族半导体材料芯片,由于其材质较软,在研磨和刻蚀的过程中金属容易损坏,并且其dif层也会在外力的作用下容易发生破碎,因此我们在现有技术的缺陷上设计了一种III
‑
V族材料芯片去层方法,能够适应各种封装类型芯片,并且能够提高去层的成功率并降低去层操作的难度。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.III
‑
V族材料芯片去层方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:准备需要去层的目标芯片;S2:对目标芯片进行研磨,研磨掉其封装材料直至衬底层完全露出,并将该面作为上面;S3:将目标芯片朝上放置在玻璃底座上,将配置好的环氧树脂覆盖芯片外表面,待环氧树脂完全固化;S4:待环氧树脂完全固化后,将镶嵌环氧树脂的芯片在抛光机上减薄;S5:研磨目标芯片衬底层,之后依次去除芯片M1层,直至M
X
层,其中1<X<3。2.根据权利要求1所述的III
‑
V族材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:左振宏,赵一诚,
申请(专利权)人:苏州芯联成软件有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。