一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件制造技术

本发明专利技术提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC

【技术实现步骤摘要】
一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件


[0001]本专利技术涉及散热
，特别涉及一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件。

技术介绍

[0002]现有的IGBT模块集成的功率组件结构如图1所示，包括：IGBT功率器件1和复合母排2。图中展示了1个IGBT功率器件1通过螺钉与复合母排2固定连接，该复合母排2使用在由8个IGBT器件组成的集成功率组件中。
[0003]复合母排的具体实施方式为，复合母排通过螺丝与几个独立的、按规则排列的IGBT器件的内部端子进行连接。复合母排的C极与E极导电铜层，通常尽量保持形状相近，并尽量靠拢设计。这样，复合母排就实现了汇总IGBT各个端子电流的功能。
[0004]如图2所示，其为由6只IGBT功率器件组成的集成功率组件，主要包括：散热器3、复合母排C级(或E级)4、复合母排E级(或C级)5、IGBT功率器件6、复合母排C级(或E级)7，其中复合母排C级(或E级)7的右侧与复合母排C级(或E级)4汇合连接。
[0005]然而，现有的复合母排互联结构有以下缺点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，焊接有芯片的所述衬板与所述散热器互联，所述衬板上布置有所述PCB电路和端子，所述低感复合母排与所述端子连接；其中，所述低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC
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级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC
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级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。2.根据权利要求1所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述IGBT功率器件的四周通过管壳与外部隔离。3.根据权利要求2所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述管壳采用绝缘材料制成。4.根据权利要求2所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，整个低感复合母排与衬板被灌封胶以及管壳一同封住。5.根据权利要求1所述的具有低感...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚敬，常桂钦，黄建新，罗海辉，彭勇殿，吴义伯，窦泽春，杨进峰，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：