形成铁电半导体元件的方法技术

本文描述一种形成铁电半导体元件的方法。该方法包括执行一扩散退火制程以驱动一掺杂剂的元素穿过一非晶硅层且驱动至一鳍片上的一栅极介电层中，以形成具有一掺杂剂浓度的梯度深度分布的一掺杂栅极介电层。该掺杂栅极介电层在封盖后退火制程期间结晶，以在该结晶栅极介电层内形成一铁电性质的梯度深度分布。一金属栅极电极经形成于该结晶栅极介电层上以获得该栅极电极与该通道之间的具有多铁电性质的一铁电晶体管。该铁电晶体管可使用在深度类神经网络(deep neural network；DNN)应用中。中。中。

【技术实现步骤摘要】
形成铁电半导体元件的方法


[0001]本揭露是关于一种形成铁电半导体元件的方法。

技术介绍

[0002]半导体元件使用在诸如例如个人计算机、手机、数字摄影机，及其他电子设备的各种电子应用中。半导体元件通常通过将绝缘或介电材料层、导电材料层，及半导体材料层顺序地沉积在半导体基板上，且使用微影术来图案化各种材料层以在该等材料层上形成电路组件及元件来加以制造。
[0003]半导体工业继续通过最小特征大小的连续减小来改良各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，此举允许将较多组件整合至给定区域中。然而，在最小特征大小减小时，出现了应解决的额外问题。

技术实现思路

[0004]本揭露的实施例为一种形成铁电半导体元件的方法方法，包括：将栅极介电层沉积在鳍片的通道区上；将缓冲层沉积在栅极介电层上；将掺杂剂膜沉积在缓冲层上；执行扩散退火制程以在栅极介电层内形成掺杂剂浓度的梯度深度分布；蚀刻掺杂剂膜及缓冲层的剩余部分以暴露栅极介电层；将封盖层沉积在栅极介电层上；以及执行封盖后退火制程以使栅极介电层结晶。
附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成铁电半导体元件的方法，其特征在于，包含：将一栅极介电层沉积在一鳍片的一通道区上；将一缓冲层沉积在该栅极介电层上；将一掺杂剂膜沉积在该缓冲层上；执行一扩散退火制程以在该栅极介...

【专利技术属性】
技术研发人员：何嘉政，林铭祥，蔡劲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：