集成IPD技术封装的滤波器及封装方法技术

本发明专利技术提供了一种集成IPD技术封装的滤波器及封装方法，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；所述盖板区域设置于下半部分；所述盖板区域包括：集总元件；该滤波器可以在完成自身封装的同时实现设定的滤波性能。所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；所述体声波谐振器设置于硅衬底上。本发明专利技术针对所提出的新型滤波器设计了一套合理的加工流程，可以降低工艺复杂度，提高产品的稳定性。的稳定性。的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
集成IPD技术封装的滤波器及封装方法


[0001]本专利技术涉及滤波器
，具体地，涉及一种集成IPD技术封装的滤波器及封装方法。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的快速发展，市场对小型化、高性能滤波器的需求越来越高。专利文献CN201210345115.5公开了一种压电声波滤波器和芯片封装结合的结构，该专利提出在连接压电声波滤波器的电感之间引入互感，调节压电声波滤波器传输零点的位置，并改善滤波器的高频性能。
[0003]现有技术的不足之处是：常规滤波器所使用的集总元件，往往由表面安装的元器件来实现，每一个电感、电容都会占用很大的空间，而本专利所提出的滤波器所用集总元件通过IPD技术来实现，这将极大的降低整体滤波器的尺寸；常规使用IPD技术实现集总元件的滤波器，其集总元件往往需要额外的封装成独立器件然后与谐振器连接，而本专利所提出的滤波器利用IPD技术将所需的集总元件集成在体声波谐振器的封装盖板上，并通过铜柱连接谐振器和集总元件，使得滤波器在实现良好封装的同时可以达到设定的性能；常规的基于IPD集总元件和体声波谐振器的混合型滤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；所述盖板区域设置于下半部分；所述盖板区域包括：集总元件；所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；所述体声波谐振器设置于硅衬底上。2.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器采用以下任意一种或者多种结构：
‑
硅反面刻蚀结构；
‑
空隙结构；
‑
布拉格反射层结构。3.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述集总元件采用利用IPD技术加工的集总元件。4.根据权利要求3所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述集总元件包括：电容、电感；所述集总元件通过IPD技术集成在硅衬底表面的氧化硅层中。5.根据权利要求1所述的集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江信唐智芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：