一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器，包括：叉指电极系统、薄膜；所述叉指电极系统包括：正电极、负电极；所述薄膜采用铌酸锂薄膜；当铌酸锂薄膜的表面的叉指电极系统分别被加载正电极和负电极时，交互的相邻电极之间产生的水平电场将在铌酸锂薄膜中激励起剪切波谐振；该剪切波谐振为此谐振器的主谐振模，且谐振波长大约是铌酸锂薄膜厚度的两倍。本实用新型专利技术通过采用采用叉指电极在铌酸锂薄膜上激发剪切波谐振，使得该谐振器的谐振频率主要与薄膜厚度有关，从而可以很容易地实现高频率谐振，解决了一般声波谐振器很难产生高频谐振的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器
本技术涉及谐振器
，具体地，涉及一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器。
技术介绍
随着5G通信系统的快速发展，现有的射频前端谐振器已经很难满足高频率波段通信要求。专利文献CN110138356A公开了一种高波速支撑衬底来提高声表面波谐振器的谐振频率。现有技术的不足之处是：常规声波谐振器的谐振频率主要与叉指电极的宽度和电极间距有关，由于加工难度和成本的限制，很难提高谐振器的谐振频率，而本专利提出的剪切波谐振器，其谐振频率主要与压电薄膜的厚度有关，可以轻松的实现高频率谐振，打破常规谐振器的频率瓶颈；一般的压电材料本身具有很低的机电耦合系数，从而限制了基于该谐振器的滤波器性能，而本专利所采用的铌酸锂薄膜具有很高的机电耦合系数，可以很好的用来设计高频宽带、低损耗滤波器；很多基于压电薄膜的谐振器，由于薄膜悬置而容易产生机械强度差、功率容量低、散热效果差等问题，而本专利利用布拉格反射层在不影响谐振器正常工作的前提下很好的改善了这些不足，从而使得本专利所提出的谐振器具有更好的稳定性和更广的适用范围。...

【技术保护点】
1.一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器，其特征在于，包括：叉指电极系统、薄膜；/n所述叉指电极系统包括：正电极、负电极；/n所述薄膜采用铌酸锂薄膜；/n当铌酸锂薄膜的表面的叉指电极系统分别被加载正电极和负电极时，交互的相邻电极之间产生的水平电场将在铌酸锂薄膜中激励起剪切波谐振。/n

【技术特征摘要】
1.一种内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器，其特征在于，包括：叉指电极系统、薄膜；
所述叉指电极系统包括：正电极、负电极；
所述薄膜采用铌酸锂薄膜；
当铌酸锂薄膜的表面的叉指电极系统分别被加载正电极和负电极时，交互的相邻电极之间产生的水平电场将在铌酸锂薄膜中激励起剪切波谐振。


2.根据权利要求1所述的内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器，其特征在于，所述正电极、负电极采用顶部叉指电极。


3.根据权利要求2所述的内嵌反射层的高功率容量体声波谐振器，其特征在于，所述顶部叉指电极采用以下任意一种材...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，姜伟，刘伟，
申请(专利权)人：浙江信唐智芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33