薄膜体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，是一种可以减小横向振动模式的薄膜体声波谐振器的新型结构。随着5G时代的到来，针对滤波器的性能要求越来越高，而声表面波(SAW)滤波器受其声波传播原理的限制，无法满足无线通信更高频段的应用。传统薄膜体声波谐振器(FBAR)，通常由上电极、压电材料、下电极三层结构所组成。但这一结构通常会伴随着横向振动模式，影响了谐振器的使用性能。本发明专利技术薄膜体声波谐振器的新型结构，包括上电极、压电层、下电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层；本发明专利技术通过改善压电层以上的结构，在上电极周围增加反射层，更好地反射声波，抑制横向振动模式，提高FBAR器件的Q值。

【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器及其制备方法
本专利技术涉及体声波谐振器领域，具体涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
随着5G时代的到来，无线电通信对滤波器的要求越来越高，以往的声表面波滤波器受制于其频率以及功率的限制，将越来越难以满足实际使用过程中的要求；体声波滤波器(BAW)相对于声表面波(SAW)滤波器而言，可以提供更好的隔离特性、更低的插入损耗、更陡峭的曲线以及高Q值。传统的薄膜体声波谐振器的结构由顶电极、压电材料、底电极三层结构组成，根据压电效应，在顶电极、底电极施加电压时，谐振器能够将电能转化为机械能，激发出厚度延展模式，但是同时也会激发出一些横向振动模式(“寄生模式”)，这些横向寄生模式会影响谐振器的使用性能。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种薄膜体声波谐振器的结构及其制备方法，来改善现有技术当中存在的横向振动模式的问题。为实现上述目的，本专利技术解决该技术问题所提出的技术方案是：第一方面，本专利技术提供一种薄膜体声波谐振器，包括上电极、压电层、下电极、第一反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括上电极、压电层、下电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层；/n所述第一反射层、第二反射层和第三反射层和上电极均处于压电材料上方；采用相同结构或者不同结构；/n所述上电极、第一反射层、第二反射层、第三反射层依次从内到外嵌套，共同组成压电材料顶部以上的复合结构；/n所述上电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层相互独立，交替分布；所述上电极与第一反射层呈不对称嵌套，第一反射层相对于上电极呈不平行多边形；第二反射层相对于第一反射层呈不平行多边形，第三反射层相对于第二反射层呈不平行多边形。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括上电极、压电层、下电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层；
所述第一反射层、第二反射层和第三反射层和上电极均处于压电材料上方；采用相同结构或者不同结构；
所述上电极、第一反射层、第二反射层、第三反射层依次从内到外嵌套，共同组成压电材料顶部以上的复合结构；
所述上电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层相互独立，交替分布；所述上电极与第一反射层呈不对称嵌套，第一反射层相对于上电极呈不平行多边形；第二反射层相对于第一反射层呈不平行多边形，第三反射层相对于第二反射层呈不平行多边形。


2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：
所述上电极为多边形结构；
所述压电层为多边形结构；
所述下电极为多边形结构；
所述第一反射层为任意的多边形结构；
所述第二反射层为任意的多边形结构；
所述第三反射层为任意的多边形结构。


3.根据权利要求1或2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述上电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层的材料相同，均为金属钼。


4.根据权利要求1或2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层为具有压...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，龙开祥，国世上，刘炎，邹杨，高超，曲远航，谷曦宇，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42