光传感器及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种光传感器及其制作方法、显示面板，光传感器包括多个光传感器矩阵单元，光传感器矩阵单元包括一感应TFT、一放大TFT、一开关TFT以及一存储电容器，其中感应TFT的有源层为非晶硅，放大TFT的有源层为氧化物半导体，感应TFT与放大TFT连接，放大TFT与开关TFT连接，开关TFT控制被感应TFT探测且经过放大TFT放大的电信号的读取，当其为开启状态时，将电信号传递给信号读取电路。通过采用3T1C架构作为光传感器矩阵单元，取代了传统的2T1C架构，能够实现光传感器对弱光的探测，有效地提高了光传感器的光响应，具有高光响应和高信噪比；感应TFT和放大TFT的制备共用多道黄光工艺，既降低成本，又可充分发挥a

【技术实现步骤摘要】
光传感器及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种光传感器及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板在手机、电视、平板电脑、智能手表等电子产品上的迅速发展，人们对智能显示的追求也越来越高，可集成化的光传感器凭借其在远程光互动、手势感应、环境光感应以及个人身份识别等领域的应用，有望实现集多种功能的新型智能显示屏。
[0003]基于非晶硅(a
‑
Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的光传感器因其具有工艺成熟、大面积均匀性高、成本低、响应度高、信噪比高以及尺寸小等优势，受到了广泛的关注。请参考图1，传统的a
‑
Si TFT的光传感器矩阵单元采用2T1C架构，一般由一个感应TFT(sensor TFT)、一个存储电容器C
st
和一个开关TFT(switch TFT)构成，感应TFT的有源层采用非晶硅(a
‑
Si)，光传感器矩阵单元采用这种架构时，其开关TFT读取端(Readout)的信号大小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光传感器，其特征在于，包括：感应基板；盖板，与所述感应基板相对间隔设置；多个光传感器矩阵单元，设置于所述感应基板上，并位于所述感应基板和所述盖板之间，所述多个光传感器矩阵单元包括一感应TFT、一放大TFT、一开关TFT以及一存储电容器，所述感应TFT包括第一有源层，所述放大TFT包括第二有源层，所述开关TFT包括第三有源层，所述第一有源层的材料为非晶硅，所述第二有源层的材料为氧化物半导体；其中，所述感应TFT与所述放大TFT连接，所述放大TFT与所述开关TFT连接，所述感应TFT用于将探测到的光信号转化为电信号，所述存储电容器用于根据所述感应TFT中的所述电信号存储电荷，所述开关TFT控制被所述感应TFT探测且经过所述放大TFT放大的所述电信号传递至信号读取电路。2.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述多个光传感器矩阵单元包括：第一栅极、第二栅极以及第三栅极，设置于所述感应基板上；栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极；所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第一有源层与所述第一栅极对应设置，所述第二有源层与所述第二栅极对应设置，所述第三有源层与所述第三栅极对应设置；欧姆接触层，设置于所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层上；所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极、所述第三源极和所述第三漏极，设置于所述欧姆接触层上；其中，所述感应TFT包括所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极，所述放大TFT包括所述第二栅极、所述第二源极以及所述第二漏极，所述开关TFT包括所述第三栅极、所述第三源极以及所述第三漏极。3.根据权利要求2所述的光传感器，其特征在于，所述第一源极与所述第二栅极连接，所述第二源极与所述第三漏极连接。4.根据权利要求3所述的光传感器，其特征在于，所述光传感器还包括覆盖所述感应TFT、所述放大TFT以及所述开关TFT的保护层，所述保护层和所述栅极绝缘层上设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔内设置有导电层，所述第一源极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔内的所述导电层与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡广烁，郭力，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：