显示设备和制造显示设备的方法技术

本发明专利技术涉及显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括：基板；在基板上的第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；在第一有源层上的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的第一栅电极；在第二有源层上的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上的第二栅电极，其中第一栅绝缘层的氢浓度低于第二栅绝缘层的氢浓度。浓度。浓度。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造显示设备的方法


[0001]本公开的一些示例实施例的方面涉及显示设备和制造显示设备的方法。

技术介绍

[0002]随着信息化社会的发展，显示设备可以更频繁地用于显示图像和信息。因此，最近的显示设备包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、微发光二极管显示器等。
[0003]有机发光显示设备或微发光二极管显示设备的像素可以包括发光二极管、用于根据栅电极的电压调整从第一供给电压线供给到发光元件的驱动电流的量的第一晶体管以及用于响应于来自扫描线的扫描信号将来自数据线的数据电压施加到第一晶体管的栅电极的扫描晶体管。
[0004]第一晶体管的驱动电压是指施加到第一晶体管的栅电极以允许驱动电流流动的电压。第一晶体管的驱动电压范围是指从允许最小驱动电流(例如，设定或预定最小驱动电流)流动的第一电压到允许最大驱动电流(例如，预定最大驱动电流)流动的第二电压的电压范围。
[0005]可以通过增加第一晶体管的沟道长度来扩大第一晶体管的驱动电压范围。然而，如果增加第一晶体管的沟道长度，则也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：基板；在所述基板上的第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；在所述第一有源层上的第一栅绝缘层；在所述第一栅绝缘层上的第一栅电极；在所述第二有源层上的第二栅绝缘层；以及在所述第二栅绝缘层上的第二栅电极，其中所述第一栅绝缘层的氢浓度低于所述第二栅绝缘层的氢浓度。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一栅绝缘层的最小厚度大于所述第二栅绝缘层的最小厚度。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二栅绝缘层在所述第一栅电极上。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二栅绝缘层在所述第一栅电极的上表面和侧表面上。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二栅绝缘层在所述第一栅绝缘层的侧表面上。6.根据权利要求3所述的显示设备，进一步包括：在所述第二栅绝缘层上并且在作为所述基板的厚度方向的第一方向上与所述第一栅电极重叠的电容器电极。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电容器电极在所述第二栅绝缘层的上表面上，并且在所述第二栅绝缘层的侧表面中的每个的一部分上。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述电容器电极在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一栅电极重叠。9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一有源层包括第一沟道区、在所述第一沟道区的第一侧的第一源区以及在所述第一沟道区的第二侧的第一漏区。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一栅绝缘层在所述第一沟道区上，并且所述第二栅绝缘层在所述第一源区的一部分和所述第一漏区的一部分上。11.根据权利要求10所述的显示设备，进一步包括：在所述电容器电极上的层间介电层；在所述层间介电层上并且通过贯穿所述层间介电层的第一接触孔连接到所述第一源区的除所述一部分之外的部分的第一源电极；以及在所述层间介电层上并且通过贯穿所述层间介电层的第二接触孔连接到所述第一漏区的除所述一部分之外的部分的第一漏电极。12.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括：在所述基板上并且在所述第一方向上与所述第一沟道区重叠的遮光层；以及在所述遮光层与所述第一有源层之间的缓冲层，其中所述第一源电极通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：文然建，金兑相，朴晙晳，金明花，金亨俊，孙尚佑，崔惠临，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：