阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。本发明专利技术提供的阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成栅极、源极、漏极和半导体层；在源极、漏极和半导体层上形成钝化层；在钝化层上形成与漏极连通的像素电极；在钝化层和像素电极上形成绝缘层，其中，绝缘层具有子绝缘区域，子绝缘区域与至少部分像素电极相对，子绝缘区域厚度依次逐渐减小。本发明专利技术提供的阵列基板的制作方法，通过增加楔形结构的绝缘层，以改善色偏问题。以改善色偏问题。以改善色偏问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是多数液晶显示面板的一种，其使用薄膜晶体管技术改善影象品质。现有的薄膜晶体管液晶显示面板(主要包括以下类型，扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)、平面转换型(In Plane Switching，IPS)、及多象限垂直配向型(Vertical Alignment，VA)。扭曲向列型面板可视角度小，通过不同角度观看会出现色偏。多象限垂直配向型面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异较大，导致大视角下会出现色偏。
[0003]目前改善色偏的技术主要有电容耦合技术、双TFT技术、电荷共享技术以及液晶分子偏转的参考电压调制技术。上述技术使用到额外的电路驱动设计或者多TFT(两个或两个以上)的结构设计，通过控制像素电极(Pixel ITO)的电位形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成栅极、源极、漏极和半导体层；在所述源极、所述漏极和所述半导体层上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述漏极连通的像素电极；在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层，其中，所述绝缘层具有子绝缘区域，所述子绝缘区域与至少部分所述像素电极相对，所述子绝缘区域的厚度依次逐渐减小。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：在所述钝化层和第一子像素电极上形成绝缘层；其中，所述像素电极包括所述第一子像素电极和与所述第一子像素电极相连的第二子像素电极，所述第一子像素电极朝向所述漏极，所述子绝缘区域与所述第一子像素电极或所述第二子像素电极相对。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：在所述钝化层和所述像素电极上形成有机绝缘层；采用掩膜版进行曝光和显影所述有机绝缘层，形成所述子绝缘区域，所述子绝缘区域朝向所述漏极的一侧至远离所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小，或者，所述子绝缘区域远离所述漏极的一侧至朝向所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用掩膜版进行曝光和显影形成所述子绝缘区域包括：采用透过率渐变的掩膜版或采用条纹间距渐变的掩膜版进行曝光和显影所述有机绝缘层，形成所述子绝缘区域。5.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：在所述钝化层和所述像素电极上形成无机绝缘膜；在所述无机绝缘膜上涂覆光刻胶，形成光刻胶层，采用掩膜版进行曝光和显影，去除曝光区域的光刻胶层；采用干刻工艺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尖，王帅毅，曾柯，叶宁，宋子科，唐辉，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：