一种TFT阵列基板结构制造技术

技术编号:28098494 阅读:31 留言:0更新日期:2021-04-18 17:56
本实用新型专利技术公开一种TFT阵列基板结构,沉积遮光层于基板上,制作缓冲层;制作第一有源层,制作第二有源层;图形化第一有源层和第二有源层;于第一有源层上制作栅极绝缘层,并于栅极绝缘层上制作金属栅极层;制作钝化层;第一通孔、第二通孔和第三通孔;第二通孔和第三通孔分别置于金属栅极层的两侧;制作金属源极和金属漏极,金属源极通过第一通孔与遮光层连接,金属源极通过第二通孔与第一有源层连接,金属漏极通过第三通孔与第一有源层连接;制作平坦层,并制作第四通孔;制作电极层,并与金属漏极连接。减少在TFT阵列基板制备过程中,对第一有源层的损伤,起到保护第一有源层薄膜的作用,同时减少器件电性的漂移,提高薄膜晶体管的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板结构


[0001]本技术涉及TFT阵列基板
,尤其涉及一种TFT阵列基板结构。

技术介绍

[0002]顶栅型(Top

gate)薄膜晶体管,由于源漏电极与栅极之间没有重叠,因此具有更低的寄生电容和更好的延展性,能避免A

Si TFT由于栅极和源漏极重叠面积大,而产生较大的寄生电容,因此顶栅型(Top

gate)薄膜晶体管中能够降低信号传输过程中的延迟,同时采用自对准的制备方法,有利于制备短沟道器件,并且采用金属氧化物IGZO作为有源层,电子迁移率高,有利于提高器件特性,顶栅型薄膜晶体管结构将成为未来显示领域发展的趋势;
[0003]IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写,非晶IGZO 材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,IGZO作为TFT有源层载流子迁移率比A

Si高,能实现TFT的快速充放电,IGZO结构比LTPS结构简单,制作成本低,并且也能实现在高分辨率及高刷新频率显示,因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板结构,其特征在于,包括:遮光层、缓冲层、第一有源层、第二有源层、金属源极、金属漏极、栅极绝缘层、金属栅极层、钝化层;所述遮光层设置于基板上,且所述缓冲层覆盖于所述遮光层上;所述缓冲层上依次设置有所述第一有源层、第二有源层、栅极绝缘层、金属栅极层和钝化层,所述第一有源层和所述第二有源层的大小相同;所述金属源极和金属漏极置于所述钝化层上,且所述金属源极通过第一通孔与所述遮光层连接,所述金属源极还通过第二通孔与所述第二有源层连接;所述金属漏极通过第三通孔与所述第二有源层连接;所述第二通孔和第三通孔置于...

【专利技术属性】
技术研发人员:温质康苏智昱乔小平
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:新型
国别省市:

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