【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板结构
[0001]本技术涉及TFT阵列基板
,尤其涉及一种TFT阵列基板结构。
技术介绍
[0002]顶栅型(Top
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gate)薄膜晶体管,由于源漏电极与栅极之间没有重叠,因此具有更低的寄生电容和更好的延展性,能避免A
‑
Si TFT由于栅极和源漏极重叠面积大,而产生较大的寄生电容,因此顶栅型(Top
‑
gate)薄膜晶体管中能够降低信号传输过程中的延迟,同时采用自对准的制备方法,有利于制备短沟道器件,并且采用金属氧化物IGZO作为有源层,电子迁移率高,有利于提高器件特性,顶栅型薄膜晶体管结构将成为未来显示领域发展的趋势;
[0003]IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写,非晶IGZO 材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,IGZO作为TFT有源层载流子迁移率比A
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Si高,能实现TFT的快速充放电,IGZO结构比LTPS结构简单,制作成本低,并且也能实现在高分辨率及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板结构,其特征在于,包括:遮光层、缓冲层、第一有源层、第二有源层、金属源极、金属漏极、栅极绝缘层、金属栅极层、钝化层;所述遮光层设置于基板上,且所述缓冲层覆盖于所述遮光层上;所述缓冲层上依次设置有所述第一有源层、第二有源层、栅极绝缘层、金属栅极层和钝化层,所述第一有源层和所述第二有源层的大小相同;所述金属源极和金属漏极置于所述钝化层上,且所述金属源极通过第一通孔与所述遮光层连接,所述金属源极还通过第二通孔与所述第二有源层连接;所述金属漏极通过第三通孔与所述第二有源层连接;所述第二通孔和第三通孔置于...
【专利技术属性】
技术研发人员:温质康,苏智昱,乔小平,
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司,
类型:新型
国别省市:
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