一种芯片的封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。本发明专利技术通过在承载片上设计出金属盲孔、第一钝化层和金属凸块，金属凸块通过设置在第一钝化层上的过孔与金属盲孔电连接，可以使金属盲孔的厚度超过20μm，金属盲孔的厚度范围可以达到30μm～100μm，降低了对钝化层厚度的要求，使较薄的钝化层即可完全覆盖金属盲孔，从而防止因金属盲孔与上层金属发生短接而导致器件失效。致器件失效。致器件失效。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于芯片封装
，具体涉及一种芯片的封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品的多样化，各种尺寸的器件都有需求，微米级线宽的滤波器、变压器、电容、电感等器件的制备，受限于钝化层材料的厚度，通常下层金属层的厚度不能超过20μm。当下层金属层的厚度超过20μm时，上下金属层之间的钝化层无法覆盖住下层金属层，下层金属层与上层金属层之间会发生短接的情况，从而导致器件性能失效。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种芯片的封装结构及其制备方法。
[0004]本专利技术的一个方面，提供一种芯片的封装结构的制备方法，所述方法包括：
[0005]提供承载片；
[0006]在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；
[0007]在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；
[0008]在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。
[0009]在一些可选地实施方式中，所述第一钝化层的层数为多层，所述在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，包括：
[0010]在图形化后的除最顶层所述第一钝化层之外的其余第一钝化层上形成金属布线，各层所述金属布线通过对应的所述过孔与所述金属盲孔电连接；
[0011]在图形化后的最顶层所述第一钝化层上形成所述金属凸块，所述金属凸块通过所述最顶层第一钝化层上的所述过孔、各层所述金属布线与所述金属盲孔电连接。
[0012]在一些可选地实施方式中，所述金属盲孔的厚度范围为30μm～100μm。
[0013]在一些可选地实施方式中，所述多层第一钝化层中的最底层第一钝化层的厚度大于等于5μm。
[0014]在一些可选地实施方式中，所述多层第一钝化层中的所述最底层第一钝化层的厚度范围为5μm～20μm。
[0015]在一些可选地实施方式中，所述方法还包括：
[0016]在所述金属凸块上形成第二钝化层，图形化所述第二钝化层以形成与所述金属凸块相对应的第二过孔；
[0017]在所述第二过孔中形成焊球。
[0018]本专利技术的另一个方面，提供一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：
[0019]承载片，所述承载片沿其厚度方向的第一表面设置有金属盲孔；
[0020]第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述金属盲孔，所述第一钝化层上设置有过孔，所述过孔与所述金属盲孔相对应；
[0021]金属凸块，所述金属凸块设置在所述第一钝化层上，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接。
[0022]在一些可选地实施方式中，所述第一钝化层的层数为多层；
[0023]在除最顶层所述第一钝化层之外的其余第一钝化层上均设置有金属布线，各层所述金属布线通过对应的所述过孔与所述金属盲孔电连接；
[0024]所述金属凸块设置在最顶层所述第一钝化层上，所述金属凸块通过所述最顶层第一钝化层上的所述过孔、各层所述金属布线与所述金属盲孔电连接。
[0025]在一些可选地实施方式中，所述金属盲孔的厚度范围为30μm～100μm；和/或，
[0026]所述多层第一钝化层中的最底层第一钝化层的厚度范围为5μm～20μm。
[0027]在一些可选地实施方式中，所述封装结构还包括：
[0028]第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述金属凸块，所述第二钝化层上设置有与所述金属凸块相对应的第二过孔；
[0029]焊球，所述焊球设置在所述第二过孔中。
[0030]本专利技术提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。本专利技术通过在承载片上设计出金属盲孔、第一钝化层和金属凸块，金属凸块通过设置在第一钝化层上的过孔与金属盲孔电连接，可以使金属盲孔的厚度超过20μm，金属盲孔的厚度范围可以达到30μm～100μm，降低了对钝化层厚度的要求，使较薄的钝化层即可完全覆盖金属盲孔，从而防止因金属盲孔与上层金属发生短接而导致器件失效。
附图说明
[0031]图1为本专利技术一实施例的一种芯片的封装结构的制备方法的工艺流程图；
[0032]图2至图8为本专利技术另一实施例的一种芯片的封装结构的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0033]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0034]本专利技术的一个方面，如图1所示，提供一种芯片的封装结构的制备方法S100，方法S100包括：
[0035]S110、提供承载片。
[0036]示例性的，一并结合图2，提供一承载片110，承载片110包括沿其厚度方向相对设置的第一表面111和第二表面112。在本步骤中，承载片110可以是硅、玻璃、金属、有机基板等材料的平板，本领域技术人员还可以根据实际需要，选择其他材料的承载片，本实施例对此并不限制。
[0037]S120、在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔。
[0038]示例性的，在本步骤中，如图2所示，可以在承载片110的第一表面111，通过刻蚀等工艺，制作出盲孔，然后通过电镀、化学镀等工艺将该盲孔制作成金属盲孔120。当然，本领域技术人员也可以通过其他方式在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔，本实施例对此并不限制。
[0039]在本步骤中，通过首先在承载片的第一表面制作出盲孔，再将该盲孔制作成金属盲孔，可以使金属盲孔的厚度范围达到30μm～100μm，使较薄的钝化层即可完全覆盖金属盲孔，从而防止因金属盲孔与上层金属发生短接而导致器件失效。
[0040]S130、在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔。
[0041]示例性的，在本步骤中，如图3所示，在承载片110的第一表面111形成第一钝化层131。本步骤中形成第一钝化层131的工艺，可以是沉积、溅射等工艺，也可以是其他工艺，本实施例对此并不限制。第一钝化层131可以是二氧化硅、氮化硅等材质，也可以是其他材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。第一钝化层131将金属盲孔120完全覆盖，第一钝化层131的厚度范围可以为5μm～20μm，本领域技术人员也可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。
[0042]如图3所示，图形化第一钝化层131以形成过孔131a。图形化第一钝化层131可以采用以下方式：首先在第一钝化层131上形成图形化的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供承载片；在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层的层数为多层，所述在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，包括：在图形化后的除最顶层所述第一钝化层之外的其余第一钝化层上形成金属布线，各层所述金属布线通过对应的所述过孔与所述金属盲孔电连接；在图形化后的最顶层所述第一钝化层上形成所述金属凸块，所述金属凸块通过所述最顶层第一钝化层上的所述过孔、各层所述金属布线与所述金属盲孔电连接。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属盲孔的厚度范围为30μm～100μm。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多层第一钝化层中的最底层第一钝化层的厚度大于等于5μm。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多层第一钝化层中的所述最底层第一钝化层的厚度范围为5μm～20μm。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述金属凸块上形成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文斌，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：