铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片技术

本申请公开了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。所述方法包括：在衬底上涂敷第一光刻胶层，进行第一烘烤；在第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层，进行第二烘烤；对第二光刻胶层进行欠曝光，进行第三烘烤；对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，以在第二光刻胶层上形成底切结构，该衬底带有光刻胶结构；对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光，进行第四烘烤；在经泛曝光和第四烘烤之后，刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层；在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点；将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离，得到带有铟柱焊点的衬底。本申请能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题，保护衬底其他位置不受影响。受影响。受影响。

【技术实现步骤摘要】
铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片


[0001]本申请实施例涉及量子技术和微纳加工
，特别涉及一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。

技术介绍

[0002]铟柱焊点是指利用蒸发镀膜等方式在衬底样品的特定位置沉积的柱状铟金属，为焊点使用。
[0003]制备铟柱焊点的传统工艺主要是基于单层胶的剥离工艺，使用单种光刻胶，一次曝光显影定义出铟柱图形，然后沉积金属铟后剥离，此方案一般要求胶层的厚度要至少达到铟柱高度的三倍，且由于图形区域的胶侧壁会直接和沉积的铟接触，侧壁上的铟和沉积的铟互相粘连，导致剥离困难，铟柱焊点的形貌较差。
[0004]后来研究者们开发的改良工艺主要是基于多种胶结合做出底切结构的剥离工艺，以双层胶为主，如正胶和负胶的组合。这一类改良工艺由于有底切结构，避免了沉积的铟和胶侧壁以及胶顶部铟三者间互相接触粘连，从而在一定程度上解决了传统工艺所存在的剥离困难和形貌差的问题。
[0005]但是，同样是由于底切结构的存在，镀铟过程中铟柱底部会扩散至底切结构的区域，该侧向扩散会使得衬底上原本不应有铟的位置，沉积上了薄层铟，从而影响到衬底其他位置的结构或器件。

技术实现思路

[0006]本申请实施例提供了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片，能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题。所述技术方案如下：
[0007]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种铟柱焊点的制备方法，所述方法包括：
[0008]在衬底上涂敷第一光刻胶层之后，进行第一烘烤；
[0009]在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层之后，进行第二烘烤；
[0010]对所述第二光刻胶层进行欠曝光之后，进行第三烘烤；
[0011]对经所述欠曝光和所述第三烘烤后的所述第二光刻胶层进行显影和定影，以在所述第二光刻胶层上形成底切结构，所述衬底带有光刻胶结构；其中，所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层；
[0012]对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光之后，进行第四烘烤；
[0013]在经所述泛曝光和所述第四烘烤之后，刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层；
[0014]在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料，形成铟柱焊点；
[0015]将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底。
[0016]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种芯片衬底，所述芯片衬底上带有铟柱焊点，所述铟柱焊点是采用上述方法制备得到的。
[0017]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种芯片，所述芯片的衬底上带有铟柱焊点，所述铟柱焊点是采用上述方法制备得到的。
[0018]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种焊点制备方法，所述方法包括：
[0019]在衬底上涂敷第一光刻胶层；
[0020]在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层；
[0021]对所述第二光刻胶层进行欠曝光；
[0022]对经所述欠曝光后的所述第二光刻胶层进行显影和定影，以在所述第二光刻胶层上形成底切结构，所述衬底带有光刻胶结构；其中，所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层；
[0023]对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光；
[0024]在经所述泛曝光之后，刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层；
[0025]在所述图形限制层的定义图形位置处沉积材料形成焊点；
[0026]将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述焊点的衬底。
[0027]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种芯片衬底，所述芯片衬底上带有焊点，所述焊点是采用上述方法制备得到的。
[0028]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种芯片，所述芯片的衬底上带有焊点，所述焊点是采用上述方法制备得到的。
[0029]本申请实施例提供的技术方案可以带来如下有益效果：
[0030]通过在衬底上涂敷第一光刻胶层作为保护胶层，然后在该第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层，通过对第二光刻胶层进行欠曝光、显影和定影处理，在该第二光刻胶层上形成底切结构，然后再对第一光刻胶层进行刻蚀形成图形限制层，在该图形限制层的定义图形位置处沉积铟柱焊点；本申请实施例提供的上述铟柱焊点的制备方法，一方面，由于第二光刻胶层上存在底切结构，该底切结构的存在会使得镀铟过程中衬底上的铟材料不会和第二光刻胶层上的铟材料以及第二光刻胶侧壁发生接触粘连，解决传统工艺所存在的剥离困难和形貌差的问题；另一方面，由于第一光刻胶层经过刻蚀形成图形限制层，该图形限制层能够有效地限制衬底上沉积的铟材料发生底部侧向扩散，从而保护衬底其他位置的结构或器件不受影响。
[0031]另外，图形限制层还能够使得沉积形成的铟柱尺寸与定义图形尺寸相一致，有效提升了铟柱焊点的制备质量。因此，本申请实施例提供技术方案，能够适用于不同高度且形貌优良的铟柱焊点制备。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本申请一个实施例提供的铟柱焊点的制备方法的流程图；
[0034]图2示出了采用
技术介绍
提及的改良工艺制备的铟柱焊点的侧视图和俯视图；
[0035]图3示出了采用本申请技术方案制备的铟柱焊点的侧视图和俯视图；
[0036]图4是本申请实施例提供的铟柱焊点的制备方法的流程示意图；
[0037]图5是本申请一个实施例提供的焊点制备方法的流程图。
具体实施方式
[0038]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
[0039]云技术(cloud technology)是指在广域网或局域网内将硬件、软件、网络等系列资源统一起来，实现数据的计算、储存、处理和共享的一种托管技术。
[0040]云技术是基于云计算商业模式应用的网络技术、信息技术、整合技术、管理平台技术、应用技术等的总称，可以组成资源池，按需所用，灵活便利。云计算技术将变成重要支撑。技术网络系统的后台服务需要大量的计算、存储资源，如视频网站、图片类网站和更多的门户网站。伴随着互联网行业的高度发展和应用，将来每个物品都有可能存在自己的识别标志，都需要传输到后台系统进行逻辑处理，不同程度级别的数据将会分开处理，各类行业数据皆需要强大的系统后盾支撑，能通过云计算来实现。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟柱焊点的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上涂敷第一光刻胶层之后，进行第一烘烤；在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层之后，进行第二烘烤；对所述第二光刻胶层进行欠曝光之后，进行第三烘烤；对经所述欠曝光和所述第三烘烤后的所述第二光刻胶层进行显影和定影，以在所述第二光刻胶层上形成底切结构，所述衬底带有光刻胶结构；其中，所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层；对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光之后，进行第四烘烤；在经所述泛曝光和所述第四烘烤之后，刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层；在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料，形成铟柱焊点；将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述欠曝光的曝光时间小于所述第二光刻胶层充分曝光的曝光时间。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层进行显影的显影时间t1，大于所述第二光刻胶层在充分曝光条件下的显影时间t2。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，t1≥t2+15秒。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于对所述第二光刻胶层进行显影的显影液，与所述第一光刻胶层不发生反应。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料，形成铟柱焊点，包括：采用蒸发方法在带有所述底切结构的第二光刻胶层上和暴露的衬底上沉积铟材料，在所述图形限制层的定义图形位置处形成所述铟柱焊点。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离，得到带有所述铟柱焊点的衬底，包括：将沉积所述铟柱焊点的衬底置于胶剥离液中，在20～...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文龙，杨楚宏，郑亚锐，张胜誉，
申请(专利权)人：腾讯科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：