摄像装置制造方法及图纸

根据本公开，提供了一种摄像装置，其包括：第一半导体层(180)，其形成在半导体基板上；第二半导体层(170)，其形成在所述第一半导体层(180)上，并且具有与所述第一半导体层(180)相反的导电类型；像素分离部(150)，其划分包括所述第一半导体层(180)和所述第二半导体层(170)的像素区域；第一电极(130)，其从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层(180)；和金属层(152)，其从作为所述半导体基板的另一面的光照射表面侧连接至所述第二半导体层(170)，在所述半导体基板的厚度方向上至少部分地，所述金属层(152)被埋入所述像素分离部(150)中。素分离部(150)中。素分离部(150)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置


[0001]本公开涉及摄像装置。

技术介绍

[0002]例如，在现有技术中，以下专利文献1公开了一种单光子雪崩二极管(SPAD：single photon avalanche diode)构造，在该构造中，设置有作为第一导电类型的第一掩埋层的第一半导体层以及位于该第一半导体层下方的与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层。将第二半导体层埋入外延层中，并且通过施加偏置电压将第二半导体层完全形成为耗尽层。
[0003][引用列表][0004][专利文献][0005][专利文献1][0006]JP 2015
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41746A

技术实现思路

[0007][技术问题][0008]在SPAD技术中，通过施加较大的偏置电压并使电子倍增，能够将入射光提取为大信号。在专利文献1公开的构造中，在基板的前表面上布置有用于施加高电压的一对电极。因此，为了减少噪声或提高光电转换效率，需要可靠地使这一对电极彼此绝缘。特别地，随着小型化的进行，使一对电极绝缘变得更加困难，因此难以在降低噪声、提高光电转换效率等的同时实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在所述第一半导体层上，并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型；像素分离部，其划分包括所述第一半导体层和所述第二半导体层的像素区域；第一电极，其从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层；和金属层，其从作为所述半导体基板的另一面的光照射表面侧连接至所述第二半导体层，并且在所述半导体基板的厚度方向上的至少一部分中，所述金属层被埋入所述像素分离部中。2.根据权利要求1所述的摄像装置，包括：第二电极，其从所述光照射表面侧连接至所述第二半导体层，并且形成为对应于所述像素分离部的位置，其中，所述金属层经由所述第二电极电连接至所述第二半导体层。3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述第二电极沿着所述像素区域的周边形成。4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述第二电极形成在所述像素区域的周边的一部分的区域中。5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述第二电极形成在矩形的所述像素区域的四个拐角的至少一者中。6.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述第二电极埋入形成在所述第二半导体层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：古见孝治，万田周治，松本良辅，平野智之，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：