雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法技术

一种雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法。依据一特点，一雪崩式的光电晶体元件包含一检测区域被配置为吸收入射在检测区域的一第一表面上的光线且依据吸收入射光以产生一或多个电荷载子；第一端点与检测区域电性连接且可对于检测区域施加一电压；一过渡掺杂区域；一第二端点与过渡掺杂区域电性连接且可对于过渡掺杂区域施加一电压；一倍增区域被配置为接收自过渡掺杂区域流出的一或多个电荷载子及对应于接收的一或多个电荷载子产生一或多个额外电荷载子；一第三端点与倍增区域电性连接且可对于倍增区域施加一电压，其中，过渡掺杂区域位于检测区域和倍增区域之间。掺杂区域位于检测区域和倍增区域之间。掺杂区域位于检测区域和倍增区域之间。

【技术实现步骤摘要】
雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法


[0001]本专利技术是关于一种光检测装置及其光检测方法，特别是有关于一种以锗做为吸光材料的光检测装置及其光检测方法。

技术介绍

[0002]光线可在自由空间或是通过一光介质中传递。光线可被耦合至一传感器(transducer)以将一光信号转换成一电信号做后续处理。然而，传感器可能因为效率不佳或是漏光，造成光能损失。

技术实现思路

[0003]此专利技术揭露有关于感测应用的雪崩式光电晶体技术。此技术使用三端点解决方案，其具有位于一检测区域(例如一锗层)及一倍增区域(例如一硅层)之间的一过渡掺杂区域(interim doping region)(例如掺杂浓度大于10
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cm-3
之重掺杂p+层)。使用分开的端点可将过渡掺杂区域与检测区域及倍增区域分开偏压，将在检测区域产生的载子扫到倍增区域，并在倍增区域放大被产生的载子。
[0004]本专利技术揭露标的的一创新特点为实施一元件，此元件包含一检测区域被配置为可吸收入射在该检测区域的一第一表面上的光线；依据吸收该入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电晶体元件，其特征在于，包含：一检测区域被配置为：吸收入射在该检测区域的一第一表面上的一入射光；依据该入射光以产生一或多个电荷载子；一第一端点与该检测区域电性连接且可对于该检测区域施加一电压；一过渡掺杂区域，具有一第一类型掺杂的掺杂浓度大于一临界掺杂浓度，其中该一或多个电荷载子流至该过渡掺杂区域；一第二端点与该过渡掺杂区域电性连接且可对于该过渡掺杂区域施加一电压；一倍增区域被配置为：接收自该过渡掺杂区域流出的该一或多个电荷载子；对应于接收的该一或多个电荷载子，产生一或多个额外电荷载子；及一第三端点与该倍增区域电性连接且可对于该倍增区域施加一电压，其中，该过渡掺杂区域位于该检测区域和该倍增区域之间。2.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该检测区域包含一晶体锗层。3.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该倍增区域包含一晶体硅层。4.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该过渡掺杂区域的该第一类型掺杂为一p型掺杂。5.如权利要求4所述的光电晶体元件，其特征在于，在该晶体硅层中的该p型掺杂的该临界掺杂浓度至少为10
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cm-3
。6.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该过渡掺杂区域与该检测区域相邻且其中该过渡掺杂区域的一第二表面与该检测区域的该第一表面共平面。7.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该检测区域的一掺杂浓度大于该倍增区域的一掺杂浓度。8.如权利要求1所述的元件，其特征在于，跨过该倍增区域的电压差小于7伏。9.如权利要求8所述的光电晶体元件，其特征在于，跨过该检测区域的电压差小于3伏。10.如权利要求1所述的光电晶体元件，其特征在于，该检测区域在非雪崩模式下操作，且该倍增区域在雪崩模式下操作。11.一种光检测方法，其特征在于，包含：对于一雪崩式光电晶体元件的一第一端点施加一第一电压，其中该第一端点与该雪崩式光电晶体元件的一检测区域电性连接；对于该雪崩式光电晶体元件的一第二端点施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：那允中，
申请(专利权)人：光程研创美商股份有限公司，
类型：发明
国别省市：