温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法。依据一特点,一雪崩式的光电晶体元件包含一检测区域被配置为吸收入射在检测区域的一第一表面上的光线且依据吸收入射光以产生一或多个电荷载子;第一端点与检测区域电性连接且可对于检测区域施加一电压;一过渡掺杂区...该专利属于光程研创(美商)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过光程研创(美商)股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法。依据一特点,一雪崩式的光电晶体元件包含一检测区域被配置为吸收入射在检测区域的一第一表面上的光线且依据吸收入射光以产生一或多个电荷载子;第一端点与检测区域电性连接且可对于检测区域施加一电压;一过渡掺杂区...