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根据本公开，提供了一种摄像装置，其包括：第一半导体层(180)，其形成在半导体基板上；第二半导体层(170)，其形成在所述第一半导体层(180)上，并且具有与所述第一半导体层(180)相反的导电类型；像素分离部(150)，其划分包括所述第一...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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