RRAM器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。

【技术实现步骤摘要】
RRAM器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及RRAM器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在通电时存储数据，而非易失性存储器能够在断电时存储数据。由于电阻式随机存取存储器(RRAM)的简单的结构以及与CMOS逻辑制造工艺的兼容性，因此是下一代非易失性存储器技术的一个有前景的候选。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的方法，包括：在衬底上方形成第一电极结构；在所述第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件，其中，形成所述掺杂的数据存储元件包括：在所述第一电极结构上方形成第一数据存储层，其中，所述第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂；在所述第一数据存储层上方形成第二数据存储层，其中，所述第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的所述掺杂剂，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；以及在所述掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。r/>[0004]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的方法，包括：在衬底上方形成第一电极结构；在所述第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件，其中，形成所述掺杂的数据存储元件包括：在所述第一电极结构上方形成第一数据存储层，其中，所述第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂；在所述第一数据存储层上方形成第二数据存储层，其中，所述第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的所述掺杂剂，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；以及在所述掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据存储层和所述第二数据存储层通过原子层沉积工艺形成。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一数据存储层包括：在所述第一电极结构上方形成第一未掺杂的数据存储层；以及用所述掺杂剂掺杂所述第一未掺杂的数据存储层，以形成具有所述第一掺杂浓度的所述第一数据存储层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述掺杂的数据存储元件还包括：在所述第一数据存储层上方形成第二未掺杂的数据存储层；掺杂所述第二未掺杂的数据存储层以形成具有所述第二掺杂浓度的所述第二数据存储层；以及在所述第二数据存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：江法伸，蔡正原，金海光，林杏莲，李璧伸，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：