一种选通管材料、选通管单元及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括Si及M的化合物，其中，M为S或者Se，所述选通管材料的化学通式为SixMy，其中，x、y为元素的原子百分比，且16.67≤x≤50、50≤y≤83.33，x+y＝100。该选通管材料仅由Si和M(M为S或者Se)两种元素构成，组分简单，易于控制，有效减轻了相分离引起的负面影响，改善了器件的可靠性与循环能力。Si

【技术实现步骤摘要】
一种选通管材料、选通管单元及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微纳米电子
，特别涉及一种选通管材料、选通管单元及其制备方法。

技术介绍

[0002]伴随着科技发展，大数据时代下的海量信息存储和处理成了人们的当务之急。因此，科研人员正努力探索密度更高、速度更快、成本更低的新型存储技术，包括相变存储器、阻变存储器、铁电存储器等等。而为了进一步提升存储密度，人们开发了基于crossbar阵列的三维存储结构。然而，漏电流的存在会导致读写错误并增加器件功耗，不利于大规模阵列集成，限制了存储密度的提高。选通管技术就是为了解决这一问题而提出的。在低电压下，选通管处于电阻很高的关断状态，但是一旦所加电压高于阈值，选通管开启，阻值显著降低。通过将存储单元与选通管串联，可以通过控制选通管开关状态来减轻漏电流带来的负面影响。
[0003]对于选通管器件，主要的性能要求包括循环次数多、开关比大、漏电流低以及开关速度快等。但是目前的各类选通管技术仍存在着不少缺陷，无法满足所提及的多种性能要求。例如，基于Se的代表材料是AsTeGeSiSe，尽管具备高面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料为包括Si及M的化合物，其中，M为S或者Se，所述选通管材料的化学通式为SixMy，其中，x、y为元素的原子百分比，且16.67≤x≤50、50≤y≤83.33，x+y＝100。2.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，在所述SixMy中，20≤x≤50、50≤y≤80。3.一种选通管单元，其特征在于，所述选通管单元包括：底电极层、位于所述底电极层上的选通管材料层，以及位于所述选通管材料层上的顶电极层，其中，所述选通管材料层的选通管材料为包括Si及M的化合物，其中，M为S或者Se，所述选通管材料的化学通式为SixMy，其中，x、y为元素的原子百分比，且16.67≤x≤50、50≤y≤83.33，x+y＝100。4.根据权利要求3所述的选通管单元，其特征在于，在所述SixMy中，20≤x≤50、50≤y≤80。5.根据权利要求3或4所述的选通管单元，其特征在于，所述顶电极层的材料包括钛、氮化钛、银、金、铜、铝、钨和铂中的一种或者多种制成，所述顶电极层的厚度为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，林俊，徐开朗，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
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