含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质制造技术

式(1)表示的含氟醚化合物。R1‑

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质


[0001]本专利技术涉及适合于磁记录介质的润滑剂用途的含氟醚化合物、包含该化合物的磁记录介质用润滑剂及磁记录介质。
[0002]本申请根据2018年9月12日在日本申请的专利申请2018
‑
1730364要求优先权，将其内容引入本文。

技术介绍

[0003]近年来，随着信息处理的大容量化，各种信息记录技术被不断开发出。特别是，不断开发出适合高记录密度的磁记录介质。
[0004]以前，磁记录介质中，为了确保磁记录介质的耐久性和可靠性，而在基板上形成的磁记录层上设置了保护层和润滑层。特别是配置在最表面的润滑层需要长期稳定性、化学物质耐受性(防止硅氧烷等的污染)、耐磨性等各种特性。
[0005]以前，作为磁记录介质用的润滑剂，提出了在具有包含CF2的重复结构的氟类聚合物的末端含有具有羟基等极性基的化合物(例如，参照专利文献1～3)。
[0006]例如，专利文献1公开了在两个末端部分具有多个羟基，且配置有该羟基之间的最短距离为3个原子以上的取代基的化合物。
[0007]另外，专利文献2公开了在一个末端具有芳香族，在另一个末端具有羟基的氟聚醚化合物。
[0008]另外，在专利文献3中，公开了具有全氟聚醚主链，在分子的末端具有芳香族基和羟基，芳香族基和羟基分别与不同的碳原子结合的化合物。
[0009]另外，在专利文献4中公开了一种含氟醚化合物，其将包含具有至少一个双键或三重键的有机基的末端基经由利用醚性氧结合的二价连结基配置在全氟聚醚链的一端，在全氟聚醚链的另一端配置以下末端基：
[0010]所述末端基含有两个或三个的极性基，各极性基分别与不同的碳原子结合，所述极性基所结合的碳原子之间通过包含未结合极性基的碳原子的连接基结合。
[0011]近年来，在写入元件(DFH元件)内部一般使用具有由薄膜电阻构成的加热器的磁头。在这样的磁头中，通过使加热器发热，使写入元件的前端部因热膨胀而突出，从而使写入元件进一步靠近盘(磁记录介质)的表面。
[0012]在该技术中，使写入元件的前端部热膨胀、并与盘表面接触(触摸下降)之前所需的加热器功率(单位mW)被称为触摸下降功率(TDp)。TDp越大，换言之，由于热膨胀而引起的写入元件的前端部的突出量越大，磁头越能靠近盘表面。结果，可以减少磁头和磁记录介质的磁性层之间的磁间隔，提高磁记录介质的记录容量。
[0013]现有技术文献
[0014]专利文献
[0015]专利文献1：日本特许第4632144号公报
[0016]专利文献2：日本特许第5909837号公报
[0017]专利文献3：日本特许第5465454号公报
[0018]专利文献4:国际公开第2017/154403号

技术实现思路

[0019]专利技术要解决的课题
[0020]近年来，随着磁记录介质的快速信息记录密度的提高，要求磁头和磁记录介质的磁性层之间的磁间隔的降低。因此，需要使在磁头与磁记录介质的磁性层之间存在的润滑层进一步薄膜化。
[0021]由于磁记录介质的用途的多样化等，所以对磁记录介质要求更高的耐环境性。因此，要求进一步提高对磁记录介质的可靠性产生较大影响的润滑层的耐磨性和化学物质耐受性。
[0022]但是，一般情况下，如果润滑层厚度较薄，则润滑层的覆盖性降低，润滑层的化学物质耐受性和耐磨性恶化。因此，对于润滑层，难以在确保化学物质耐受性和耐磨耗性的同时实现薄膜化(降低磁间隔)。
[0023]另外，为了减少磁间隔，需要增大触摸下降功率(TDp)。为了增大TDp，将磁记录介质的表面设为平滑面是重要的。因此，要求在配置于磁记录介质的最表面的润滑层中抑制表面凹凸。
[0024]本专利技术是鉴于上述情况而进行的，课题在于提供一种即使厚度薄也具有优异的化学物质耐受性和耐磨耗性，能够形成表面凹凸被抑制的润滑层，且能够适合于作为磁记录介质用润滑剂的材料使用的含氟醚化合物。
[0025]另外，本专利技术的课题是提供包含本专利技术的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。
[0026]另外，本专利技术的课题在于提供具有包含本专利技术的含氟醚化合物的润滑层的、可靠性和耐久性优异的磁记录介质。
[0027]解决课题的手段
[0028]本专利技术人为了解决上述课题，反复进行了深入研究。
[0029]结果发现，通过使用包含具有特定分子结构的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，即使厚度较薄，也能形成具有优异的化学物质耐受性和耐磨耗性、抑制表面凹凸的润滑层，由此想到了本专利技术。
[0030]即，本专利技术涉及以下事项。
[0031][1].一种含氟醚化合物，其特征在于，以下述式(1)表示。
[0032]R1‑
R2‑
CH2‑
R3‑
CH2‑
R4ꢀꢀꢀ
(1)
[0033]式(1)中，
[0034]R1由下式(2)表示，
[0035]R2由下式(3)表示，
[0036]R3是全氟聚醚链，
[0037]R4是与R1‑
R2‑
不同的有机末端基，其包含2个或3个极性基，各极性基分别与不同的碳原子结合，所述极性基所结合的碳原子彼此通过包含未与极性基结合的碳原子的连接基结合，
[0038][0039]式(2)中，R5是选自甲氧基、乙氧基和丙氧基中的烷氧基，
[0040]式(3)中，w表示2或3。
[0041][2].如[1]所述的含氟醚化合物，前述式(1)中的R4的极性基全部是羟基。
[0042][3].如[1]或[2]所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R4是下式(4
‑
1)～(4
‑
4)中的任一个末端基，
[0043][0044]式(4
‑
1)中，p1表示1～2的整数，p2表示1～5的整数，
[0045]式(4
‑
2)中，s表示2～5的整数，
[0046]式(4
‑
3)中，t表示1～5的整数，
[0047]式(4
‑
4)中，q表示2～5的整数。
[0048][4].如[1]～[3]的任一项所述的含氟醚化合物，其特征在于，所述式(1)中的R3由下式(5)表示，
[0049][0050]式(5)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。
[0051][5].如[1]～[3]的任一项所述的含氟醚化合物，其特征在于，所述式(1)中的R3由下式(6)或下述式(7)表示，
[0052][0053]式(6)中，u为平均聚合度，表示1～30，
[0054]式(7)中，v为平均聚合度，表示1～30。
[0055][6].如[1]～[4]的任一项所述的含氟醚化合物，其特征在于，含氟醚化合物的结构由以下式(8)表示，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种含氟醚化合物，其特征在于，以下述式(1)表示。R1‑
R2‑
CH2‑
R3‑
CH2‑
R4ꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)式(1)中，R1由下式(2)表示，R2由下式(3)表示，R3是全氟聚醚链，R4是与R1‑
R2‑
不同的有机末端基，其包含2个或3个极性基，各极性基分别与不同的碳原子结合，所述极性基所结合的碳原子彼此通过包含未与极性基结合的碳原子的连接基结合，式(2)中，R5是选自甲氧基、乙氧基和丙氧基中的烷氧基，式(3)中，w表示2或3。2.如权利要求1所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R4的极性基全部是羟基。3.如权利要求1或2所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R4是下式(4
‑
1)～(4
‑
4)中的任一个末端基，
式(4
‑
1)中，p1表示1～2的整数，p2表示1～5的整数，式(4
‑
2)中，s表示2～5的整数，式(4
‑
3)中，t表示1～5的整数，式(4
‑
4)中，q表示2～5的整数。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳生大辅，福本直也，加藤刚，室伏克己，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：