一种多层MEMS结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种多层MEMS结构，该MEMS结构包括自下而上依次堆叠于衬底上的至少两层光敏干膜，所述光敏干膜中设有空腔。本实用新型专利技术使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构，各层结构更为平整，曝光更加均匀，可以减小结构误差，从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构，包括但不限于纳米孔测序芯片。于纳米孔测序芯片。于纳米孔测序芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种多层MEMS结构


[0001]本技术属于微机电系统(MEMS)器件加工
，涉及一种多层MEMS结构。

技术介绍

[0002]微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，简称MEMS)器件具有微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产的特点，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，需要超精密机械加工，若结构误差较大，将对器件性能产生不良影响。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种多层MEMS结构，用于解决现有技术中MEMS结构误差较大的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种一种多层MEMS结构，包括：
[0005]衬底；
[0006]至少两层光敏干膜，自下而上依次堆叠于所述衬底上，所述光敏干膜中设有空腔。
[0007]可选地，所述光敏干膜的厚度范围是5微米～1000微米。
[0008]可选地，相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔连通。
[0009]可选地，相邻两层所述光敏干膜中的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层MEMS结构，其特征在于，包括：衬底；至少两层光敏干膜，自下而上依次堆叠于所述衬底上，所述光敏干膜中设有空腔，相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔连通。2.根据权利要求1所述的多层MEMS结构，其特征在于：所述光敏干膜的厚度范围是5微米～100...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴炫烨，关一民，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：