一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈制造技术

本实用新型专利技术提供一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝，所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体外，与线圈本体外侧连接电极的法兰连接,所述冷却水管嵌入线圈本体的骨架内,所述铜管横向穿过冷却水管,且在线圈本体内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽。本实用新型专利技术的有益效果为：实现将掺杂气体直接输送到融化单晶处，且因为线圈水路降温的原因，气体不会在线圈内分解造成输送气体异常的情况，可实现对掺杂气体更高效的利用。可实现对掺杂气体更高效的利用。可实现对掺杂气体更高效的利用。

【技术实现步骤摘要】
一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈


[0001]本技术属于区熔硅单晶领域，尤其是涉及一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈。

技术介绍

[0002]区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料。区熔硅单晶具有少于寿命高、晶体晶格损伤小、生产周期短及生产成本低等特点。随着现代社会电子信息及光伏产业的发展，对硅晶体的完美性和电学参数的高均匀性提出了更高的要求。区熔气掺单晶切片电阻率每炉之间存在差异，电阻率不能实现稳定可控，且截面电阻率分布不均，掺杂效率较低，造成掺杂气体的浪费，现有生产方式加工难度大，加工精度高，气路孔与水路距离太近，导致水路壁薄，容易发生漏水事故，由于气路原因，会导致线圈背部出现两个长条气孔，改变现有线圈结构。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术旨在提出一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，以解决上述问题的不足之处。
[0004]为达到上述目的，本专利技术创造的技术方案是这样实现的：
[0005]一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝，所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体外，与线圈本体外侧连接电极的法兰连接,所述冷却水管嵌入线圈本体的骨架内,所述铜管横向穿过冷却水管,且在线圈本体内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽，所述吹气通槽一端与相对应的切缝连通，另一端延伸至线圈本体上半部的最外沿,所述线圈本体上半部的最外沿与冷却水管之间为内腔中空结构，所述线圈本体最右侧的切缝对应位置设有吹气通槽，所述吹气通槽外端设有封口部，所述铜管两端分别焊接在冷却水管的两侧。
[0006]进一步的，所述线圈本体上表面设置有一个向线圈本体内部凹陷的环状台阶，所述台阶的上表面为平面。
[0007]进一步的，所述台阶底部一端与线圈本体内圆上边沿连接成向下倾斜的斜面。
[0008]进一步的，所述冷却水管在线圈本体内呈环状分布。
[0009]进一步的，所述线圈本体为单匝平板结构。
[0010]相对于现有技术，本技术具有以下优势：
[0011]本技术所述的一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈,通过在线圈外延开槽打孔至线圈内腔中空结构内，所述线圈本体最右侧的切缝对应位置留有吹气通槽，所述吹气通槽外端设有封口部，采用铜管穿过水路的方式实现将掺杂气体直接输送到融化单晶处，且因为线圈水路降温的原因，气体不会在线圈内分解造成输送气体异常的情况，可
实现对掺杂气体更高效的利用，并且可实现单晶硅电阻率及时、可控。
附图说明
[0012]构成本专利技术创造的一部分的附图用来提供对本专利技术创造的进一步理解，本专利技术创造的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术创造，并不构成对本专利技术创造的不当限定。在附图中：
[0013]图1为本技术所述的改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈的正视图；
[0014]图2为本技术所述的改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈的剖视图。
[0015]附图标记说明：
[0016]1、线圈本体；11、线圈眼；12、十字切缝；13、线圈内腔中空结构；2、冷却水管；3、铜管；31、封口部；4、法兰。
具体实施方式
[0017]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术创造中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0018]在本专利技术创造的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术创造和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术创造的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0019]在本专利技术创造的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术创造中的具体含义。
[0020]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术创造。
[0021]如图1至图2所示，一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体1、冷却水管2、铜管3、十字切缝12，所述线圈本体1为中心带有线圈眼11的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼11为中心的贯通上下表面的十字切缝12，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体1外，与线圈本体1外侧连接电极的法兰4连接,所述冷却水管2嵌入线圈本体1的骨架内,所述铜管3横向穿过冷却水管2,且在线圈本体1内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽，所述吹气通槽一端与相对应的切缝连通，另一端延伸至线圈本体1上半部的最外沿,所述线圈本体1上半部的最外沿与冷却水管2之间为内腔中空结构13，所述线圈本体1最右侧的切缝对应位置设有吹气通槽，所述吹气通槽外端设有封口部31，所述铜管3两端分别焊接在冷却水管2的两侧。
[0022]所述线圈本体1上表面设置有一个向线圈本体1内部凹陷的环状台阶，所述台阶的
上表面为平面。
[0023]所述台阶底部一端与线圈本体1内圆上边沿连接成向下倾斜的斜面。
[0024]所述冷却水管2在线圈本体1内呈环状分布。
[0025]所述线圈本体1为单匝平板结构。
[0026]本实施例的工作过程如下：
[0027]打开封口部31，开启掺杂气体和惰性气体的混合气体，通过封口部进入到线圈内腔中空结构13内，再通过线圈眼11周围的三个短边的切缝处的吹气通槽被直接水平吹拂到熔区液面上，将掺杂气体直接输送到融化单晶处，对单晶进行掺杂，掺杂气直接作用在熔体部分，提高了硅单晶的掺杂效率。
[0028]以上所述仅为本专利技术创造的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术创造，凡在本专利技术创造的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术创造的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，其特征在于：包括线圈本体(1)、冷却水管(2)、铜管(3)、十字切缝(12)，所述线圈本体(1)为中心带有线圈眼(11)的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼(11)为中心的贯通上下表面的十字切缝(12)，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体(1)外，与线圈本体(1)外侧连接电极的法兰(4)连接,所述冷却水管(2)嵌入线圈本体(1)的骨架内,所述铜管(3)横向穿过冷却水管(2),且在线圈本体(1)内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽，所述吹气通槽一端与相对应的切缝连通，另一端延伸至线圈本体(1)上半部的最外沿,所述线圈本体(1)上半部的最外沿与冷却水管(2)之间为内腔中空结构(13)，所述线圈本体(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志富，王遵义，刘凯，吴磊，李小龙，陈玉桥，程亚胜，王彦君，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：