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本实用新型提供一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝，所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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