【技术实现步骤摘要】
一种新型晶棒
[0001]本技术涉及一种新型晶棒。
技术介绍
[0002]磁光晶体TGG晶棒和偏振片构成的耐高功率的光隔离器能够有效消除反射回来的杂散光，确保高功率激光器能够连续稳定工作，所以在国内外的光纤通信和工业激光领域广泛应用。但是，目前市面上的磁光晶体抗损伤阈值不够，往往导致高功率激光器中途被烧掉，从而使其性能没办法得到最大程度的发挥。晶棒组装在高功率激光器中，产品在使用过程中的损耗和成本大大增加，生产效率却大大降低。
[0003]鉴于此，本专利技术人对上述问题进行深入的研究，遂有本案产生。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种能提高损伤阈值、提升使用寿命的新型晶棒。
[0005]为了达到上述目的，本技术采用这样的技术方案：
[0006]一种新型晶棒,包括由铽镓石榴石加工而成的晶棒本体，晶棒本体呈斜圆柱状，晶棒本体于轴向的两端形成第一透光面和第二透光面，与晶棒本体的轴向垂直且不与第一透光面和第二透光面相交的截面为横截面，第一透光面与横截面的夹角为1.2
°
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种新型晶棒,包括由铽镓石榴石加工而成的晶棒本体，其特征在于：晶棒本体呈斜圆柱状，晶棒本体于轴向的两端形成第一透光面和第二透光面，与晶棒本体的轴向垂直且不与第一透光面和第二透光面相交的截面为横截面，第一透光面与横截面的夹角为1.2
°
，第二透光面与横截面的夹角为1.2
°
，第一透光面与第二透光面之间的距离在10
‑
14mm，晶棒本体的直径在2.78
‑
2.82mm，第一透光面上复合有第一增透膜，第一增透膜包括第一氧化铪膜层和复合在第一氧化铪膜层上的第一二氧化硅膜层，第二透光面上复合有第二增透膜，第二增透膜包括第二氧化铪膜层和复合在第二氧化铪膜层上的第二二氧化硅膜层，第一氧化铪膜层的厚度在470
‑
520纳米，第一二氧化硅膜层的厚度在250
‑
320纳米，第二氧化铪膜层的厚度在470
‑
技术研发人员：林亚桢，丁树权，李焕坤，周习军，
申请(专利权)人：福建中策光电股份公司，
类型：新型
国别省市：
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