一种多轨道硅片缓存机构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多轨道硅片缓存机构，所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件，所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。此机构可人工调整各缓存侧板之间的间距来缓存硅片，目前可以兼容市场上所有规格主流硅片规格。由于采用的是双丝杆直线模组，相比单丝杆直线模组加导轨机构平顺性要好得多，没有卡顿的想象。由于此缓存机构置于传输轨道之上，当设备故障处理完之后，此机构会进行方片处理。此机构会进行方片处理。此机构会进行方片处理。

【技术实现步骤摘要】
一种多轨道硅片缓存机构


[0001]本技术涉及硅片生产领域，具体涉及一种多轨道硅片缓存机构。

技术介绍

[0002]硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850
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900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。在硅片生产过程中，刻蚀下料机内部出现堵片或其他故障等问题时，设备会因此而停机，但与之对应的工艺机还在正常运行，工艺机内部会有一定数量的硅片，这时缓存这些硅片就显的十分必要了。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是提供一种多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多轨道硅片缓存机构，其特征在于，所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件，所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。2.如权利要求1所述的机构，其特征在于，所述的硅片安装架包括沿上下方向延伸设置的连接杆、沿上下方向排列设置在所述的连接杆上的安装片，相邻的两个安装片之间形成可供硅片插入的间隙。3.如权利要求2所述的机构，其特征在于，所述的安装框架包括左右排列设置的两个侧安装架、上下排列设置的上安装梁和下安装梁，所述的连接杆的上端通过一上安装部可拆卸的连接在所述的上安装梁上，所述的连接杆的下端通过一下安装部可拆卸的连接在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴廷斌，张学强，张建伟，罗银兵，朱方松，
申请(专利权)人：罗博特科智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：