【技术实现步骤摘要】
一种微波等离子体化学气相沉积装置
[0001]本技术属于金刚石膜制备
,具体涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置。
技术介绍
[0002]金刚石膜具有高硬度、低摩擦系数、高热导率、高透光性、宽禁带宽度、高电阻率、高击穿场强以及高载流子迁移率等一系列优异性能,是一种性能极为优越的多功能材料。正是由于在如此多的方面都有极佳的表现,因而金刚石膜是21世纪新材料领域中最吸引人瞩目的热点材料之一。
[0003]人工制备金刚石膜的方法有很多,比如热丝法、热阴极法、直流电弧等离子体喷射法等,在众多的方法中,微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法产生的等离子体密度高,同时,利用该方法沉积金刚石膜的过程可控性和洁净性好,因此,MPCVD法一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。
[0004]微波等离子体化学气相沉积装置是利用微波能实现化学气相沉积的一种工艺装置,现有的微波等离子体化学气相沉积装置在制备金刚石膜时,不可避免的在反应室内会产生大量的热,从而会造成成膜效果不理想的问题,而且微波辐射通过介质窗口传递至反应腔中,会造
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,包括:相互连接的波导装置(1)和反应腔(2),其中,所述波导装置(1)包括微波天线(10),所述微波天线(10)包括进气管(101)、水冷结构(102)、天线下盘(103)和分气盘(104),其中,所述水冷结构(102)套设在所述进气管(101)的外部;所述分气盘(104)设置在所述天线下盘(103)的下端;所述进气管(101)的下端穿过所述天线下盘(103)与所述分气盘(104)连接;所述反应腔(2)设置在所述波导装置(1)下方,所述天线下盘(103)位于所述反应腔(2)内部。2.根据权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述水冷结构(102)包括进水管(1021)、出水管(1022)和水套轴(1023),其中,所述进水管(1021)和所述出水管(1022)由内到外依次套设在所述进气管(101)的外部;所述进水管(1021)和所述出水管(1022)的下端与所述天线下盘(103)连接;所述水套轴(1023)套接在所述出水管(1022)的外部,所述水套轴(1023)上开设有进水口(10231)和出水口(10232),所述进水口(10231)与所述进水管(1021)连通,所述出水口(10232)与所述出水管(1022)连通,且位于所述进水口(10231)的下方。3.根据权利要求2所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述出水管(1022)与所述天线下盘(103)上表面的直...
【专利技术属性】
技术研发人员:任泽阳,张金风,吴勇,王东,操焰,崔傲,郝跃,
申请(专利权)人:西安电子科技大学芜湖研究院,
类型:新型
国别省市:
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