【技术实现步骤摘要】
一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器
[0001]本专利技术涉及双向放大器
，具体涉及一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器。
技术介绍
[0002]在半导体材料外延技术不断进步的推动下，近年来，芯片集成电路也随之快速发展。硅(Si)、锗硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)等材料常被用于芯片制作，传统的放大器一般基于Si基CMOS工艺制作。然而，基于Si基CMOS工艺制作的低噪声放大器、功率放大器等收发系统中的常用组件在噪声、功率等指标性能上却存在不足。基于GaAs pHEMT工艺的放大器芯片研究已成为焦点，推动了放大器在超宽带系统中的应用。500nm GaAs pHEMT工艺虽然成本低，但是此工艺截至频率较低，对于设计实现高频覆盖的双向放大器芯片将十分困难，在高频覆盖的同时还要实现超宽带将更加困难。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，实现高频覆盖至10.6GHz的同...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，包括低噪声放大器、功率放大器、单刀双掷开关A和单刀双掷开关B；低噪声放大器包括信号输入端Rx_input和信号输出端Rx_output，用于实现宽频带且低噪声匹配；功率放大器包括输入端Tx_input和信号输出端Tx_output，用于实现宽频带且最大功率匹配；当单刀双掷开关A选择信号输入端Rx_input，单刀双掷开关B选择信号输出端Rx_output时，信号从信号输入端Rx_input输入低噪声放大器，经过宽带匹配电路和降低噪声处理后从信号输出端Rx_output输出；当单刀双掷开关B选择信号输入端Tx_input，单刀双掷开关B选择信号输出端Tx_output时，信号从信号输入端Tx_input输入功率放大器，经过宽带匹配电路和增大功率处理后从信号输出端Tx_output输出。2.根据权利要求1所述的一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，低噪声放大器包括输入匹配单元1、输出匹配单元1、晶体管M8和晶体管M9；信号从信号输入端Rx_input输入，依次经过输入匹配单元1、晶体管M9、晶体管M8和输出匹配单元1后从信号输出端Rx_output输出。3.根据权利要求1所述的一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，功率放大器包括输入匹配单元2、输出匹配单元2、晶体管M5、级间匹配单元、电容C10、晶体管组；信号从信号输入端Tx_input输入，依次经过输入匹配单元2、晶体管M5、级间匹配单元、电容C10、晶体管组和输出匹配单元2后从信号输出端Tx_output输出。4.根据权利要求1所述的一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，低噪声放大器还包括偏置电路1、偏置电路2、偏置电路3、反馈单元1和电容C16；偏执电路1连接晶体管M8的漏极，用于为晶体管M8供电；偏置电路2连接晶体管M9的栅极，用于为晶体管M9供电；偏置电路3连接晶体管M8的栅极用于为晶体管M8供电，并与电容C16连接后接地；反馈单元1的一端连接晶体管M9的栅极，另一端连接晶体管M8的漏极，用于提升晶体管M8、晶体管M9的稳定性和增益平坦度。5.根据权利要求1所述的一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，功率放大器还包括偏置电路4、偏置电路5、偏置电路6、偏置电路7、反馈单元2和反馈单元3；偏置电路4连接晶体管M5的栅极，偏置电路5连接晶体管M5的漏极，用于为晶体管M5供电；偏置电路6连接晶体管组的栅极，偏置电路7连接晶体管组的漏极，用于为晶体管组供电；反馈单元2的一端连接晶体管M5的栅极，另一端连接晶体管M5的漏极，用于提升晶体管M5的稳定性和增益平坦度；反馈单元3的一端连接晶体管组的栅极，另一端连接晶体管组的漏极，用于提升晶体管M6、晶体管M7的稳定性和增益平坦度。6.根据权利要求2所述的一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，输入匹配单元1包括电容C17和电感L20，电感L20的一端与电容C17连接后接地，另一端连接晶体管M9的栅极；晶体管M9的源极接地，漏级连接所述晶体管M8的源级；
输出匹配单元1包括电容C14和电感L16，电感L16的一端连接晶体管M8的漏极，另一端与电容C14连接后接地；输入匹配单元2包括电容C5、电容C6、电感L6和电感L7，电感L6的一端连接信号输入端Tx_input，另一端与电感L7连接后再连接到晶体管M5的...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。