一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管技术

本发明专利技术提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，其制备方法包括以下步骤：制备一二氧化硅

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管


[0001]本专利技术属于二极管
，尤其涉及一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管。

技术介绍

[0002]二十一世纪以来，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。目前的传统材料制作的二极管功率密度输出低，能量转换效率相对较低，且体积和重量相对较大，影响后续应用系统的制作及生产成本。
[0003]综上，现亟需一种能够解决上述技术问题，通过基于GaN材料制备出氮化镓异质结二极管，从而来克服上述问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，旨在解决现有技术采用传统方法生产的二极管功率密度输出低，能量转换效率相对较低，且体积和重量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓异质结二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.制备一二氧化硅
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氮化镓
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氮化镓铝外延片衬底，在该衬底上依次淀积氮化铝层和二氧化硅层；S20.采用二维电子气2DEG掩膜版曝光刻蚀二氧化硅
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氮化镓
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氮化镓铝上淀积的氮化铝层和二氧化硅层，露出二维电子气的位置；S30.在二维电子气的位置内镀上一层二氧化硅层；S40.采用欧姆接触孔掩模版曝光刻蚀步骤S10中的氮化铝层和二氧化硅层，露出氮化镓铝层，形成源极孔和漏极孔；S50.在源极孔和漏极孔内沉积一复合金属钛铝镍金层；S60.采用栅极引线孔掩模版曝光刻蚀掉步骤S10中的二氧化硅层，露出氮化铝层形成一个栅极引线孔，并在该栅极引线孔内淀积一铝层，形成氮化镓器件的异质结；S70.在当前形态下的顶部镀上一层二氧化硅层，作为栅极引线孔和器件源、漏极的绝缘层，并采用源、漏极孔掩模版曝光刻蚀该二氧化硅层露出源极孔和漏极孔；S80.在步骤S70中的源极孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，张光亚，朱勇华，付国振，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：